【摘要】 本发明提供了一种新型电池的制备方法，其通过在硅片的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅太阳能电池，所述正电荷膜层通过PECVD镀膜工艺而形成，其中，所述负电荷膜层通过依次进行PECVD镀氮化硅减反射膜、印刷银浆栅、烧结和导入负电荷而形成，所述导入负电荷的方法为：将烧结完成的电池片背面向上放置在放电装置台上，开启电源，在正向电晕放电的作用下，沉积正电荷于背面PECVD膜层表面，通过电子隧道效应，将负电荷吸引至背面PECVD膜层中，从而导入负电荷，然后去掉背面PECVD膜层表面的正电荷。此方法成功导入稳定的负电荷，并同于背面钝化。用此种方法制得的电池背面钝化效果优良，使电池的开路电压和短路电流都得以提升，从而实现了效率的提升。 【专利类型】发明授权 【申请人】光为绿色新能源股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】074000 河北省保定市高碑店新工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】高碑店市 【申请号】CN201210092711.7 【申请日】2012-03-31 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102623565B 【公开公告日】2014-10-01 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102623565B 【授权公告日】2014-10-01 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】金浩 【主权项内容】一种新型电池的制备方法，其通过在硅片的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅太阳能电池，所述正电荷膜层通过PECVD镀膜工艺而形成，其特征在于，所述负电荷膜层通过依次进行PECVD镀氮化硅减反射膜、印刷银浆栅、烧结和导入负电荷而形成，所述导入负电荷的方法为：将烧结完成的电池片背面向上放置在放电装置台上，开启电源，在正向电晕放电的作用下，沉积正电荷于背面PECVD膜层表面，通过电子隧道效应，将负电荷吸引至背面PECVD膜层中，从而导入负电荷，然后去掉背面PECVD膜层表面的正电荷，电晕放电的电压为10±0.5KV，时间为0.5±0.05min，在硅片正面进行PECVD镀膜前对硅片进行以下处理：清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除硅片四周的PN结，在电池片背面进行PECVD镀氮化硅减反射膜的操作条件为：控制氨气NH3和硅烷气体SiH4的流量比为1 : 2-2 : 1，沉积温度400-500℃，时间为10±1分钟，压力为0.5±0.1Torr，在电池片的背面沉积一层厚度为70-80nm的氮化硅膜。 微信 【当前权利人】保定光为绿色能源科技有限公司 【当前专利权人地址】河北省保定市高碑店市112线东侧高固路北侧 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91130600682772648C 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2

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