【摘要】 本发明公开了一种用于MEMS器件的在片测试系统及其测试方法，属于MEMS器件测试技术领域。该系统包括自动探针台、探卡、矩阵开关、测试模块及计算机，自动探针台上表面设有被测圆片，被测圆片与探卡连接，探卡与测试模块之间设有矩阵开关，计算机分别与自动探针台、矩阵开关、测试模块连通，该系统的测试方法依次为完成探卡选择、圆片固定与初始定位、芯片参数测试与质量判断、取出圆片、数据管理等功能，完成整个圆片的全部测试。本测试方法能够准确、高效地完成MEMS器件微小电容、导通电阻、绝缘电阻、谐振频率、品质因数等参数的在片精确测试，并根据该测试方法建立一套完整的软硬件测试系统，用于MEMS器件的研制与生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国电子科技集团公司第十三研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】050051 河北省石家庄市合作路113号179信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】石家庄市 【申请人区县】桥西区 【申请号】CN201210518811.1 【申请日】2012-12-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103018651B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103018651B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01R31/26 【发明人】李博; 杨拥军; 徐爱东; 卢新艳 【主权项内容】一种用于MEMS器件的在片测试系统的测试方法，其特征在于所述的测试系统包括自动探针台(2)、探卡(3)、矩阵开关(4)、测试模块(5)及计算机(6)，所述自动探针台(2)上表面设有被测圆片(1)，被测圆片(1)与探卡(3)连接，所述探卡(3)是由PCB板(3-2)和与PCB板(3-2)连接的探针(3-1)组成，探卡(3)与测试模块(5)之间设有矩阵开关(4)，计算机(6)分别与自动探针台(2)、矩阵开关(4)、测试模块(5)连通；其测试方法的步骤如下：1)选择与被测圆片(1)相对应的探卡(3)，安装在自动探针台(2)上；2)将被测圆片(1)固定在自动探针台(2)上，进行初始定位；3)测试芯片的参数，根据测试结果判断芯片质量：首先，在探针(3-1)与被测圆片(1)接触前之前进行寄生参数测试，用于后期寄生参数补偿；第二步，被测圆片(1)上抬与探针(3-1)接触；第三步，打开矩阵开关(4)，利用探针转换矩阵选择测试点，操作计算机(6)提取自动探测台(2)上该测试点数据；第四步，驱动探针转换矩阵控制改变测试点，重复第三步测试，直至探卡(3)上所有测试点的测试项目全部完成并存储，其中测试项目主要包括寄生电容测试、检测电容测试、导通电阻测试、绝缘电阻测试、固有频率测试、品质因数测试以及带宽测试；第五步，根据所测试的所有测试项目，判断芯片质量，并显示结果；4)自动探针台(2)移位对准下一芯片位置，直至所有芯片测试完成；5)取出被测圆片(1)；6)对测试数据，按测试时间、被测圆片(1)批号的规则进行数据管理。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第十三研究所 【当前专利权人地址】河北省石家庄市合作路113号179信箱 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】24

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791030032.html