【摘要】 本发明涉及一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法，采用预沉积非晶硅薄膜来降低产业化硅薄膜电池的污染问题，属于薄膜太阳能电池生产技术领域。技术方案是：在硅薄膜电池制备方法的等离子体清洗/沉积工序中引入预沉积非晶硅薄膜工艺，反应腔室经过氟等离子体刻蚀清洗后，采用等离子增强化学气相沉积工艺，控制辉光功率和硅烷浓度，预沉积非晶硅薄膜，降低残留在反应腔室内的氟、硫或氧浓度，进而提高产业化硅薄膜电池组件的光电转换效率。本发明不需要停止设备，不影响系统的嫁动率，又降低了污染，同时有效提高电池效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】保定天威薄膜光伏有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】071051 河北省保定市国家高新技术产业开发区恒源西路888号 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】竞秀区 【申请号】CN201210127770.3 【申请日】2012-04-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102637780B 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102637780B 【授权公告日】2014-04-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/20 【发明人】高锦成; 黄跃龙; 王志强; 孙晓东; 李爽; 关峰; 王颖; 尹晶晶; 王光辉; 马云祥; 倪健雄 【主权项内容】1.一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法，其特征在于：在硅薄膜电池制备方法的等离子体清洗/沉积工序中引入预沉积非晶硅薄膜工艺，反应腔室经过氟等离子体刻蚀清洗后，采用等离子增强化学气相沉积工艺，控制辉光功率和硅烷浓度，预沉积非晶硅薄膜，降低残留在反应腔室内的氟、硫或氧浓度，进而提高产业化硅薄膜电池组件的光电转换效率；所述的预沉积非晶硅薄膜工艺，采用离子体增强气相沉积法或热丝技术；所述预沉积非晶硅薄膜工艺，所用的辉光激励频率范围在13.56MHz至100MHz；所用的氢稀释硅烷浓度SC=([SiH4]/( [SiH4]+ [H2]))%≤20%；沉积时间范围5s-200s；所述的预沉积非晶硅膜厚度范围2nm-50nm。 1.一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法，其特征在于：在硅薄膜电池制备方法的等离子体清洗/沉积工序中引入预沉积非晶硅薄膜工艺，反应腔室经过氟等离子体刻蚀清洗后，采用等离子增强化学气相沉积工艺，控制辉光功率和硅烷浓度，预沉积非晶硅薄膜，降低残留在反应腔室内的氟、硫或氧浓度，进而提高产业化硅薄膜电池组件的光电转换效率；所述的预沉积非晶硅薄膜工艺，采用离子体增强气相沉积法或热丝技术；所述预沉积非晶硅薄膜工艺，所用的辉光激励频率范围在13.56MHz至100MHz；所用的氢稀释硅烷浓度SC=([SiH4]/( [SiH4]+ [H2]))%≤20%；沉积时间范围5s-200s；所述的预沉积非晶硅膜厚度范围2nm-50nm。 【当前权利人】保定天威薄膜光伏有限公司 【当前专利权人地址】河北省保定市国家高新技术产业开发区恒源西路888号 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】9

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