【摘要】 本发明实施例公开了一种晶体硅位错的检测方法，包括如下步骤：(1)取待检测晶体硅样品进行抛光，接着用腐蚀液腐蚀，随后终止腐蚀；(2)采用高清成像系统对待检测晶体硅进行成像，得到晶体硅腐蚀图像，从而得到晶体硅腐蚀图像的腐蚀坑灰度像素比例；(3)根据腐蚀坑灰度像素比例与位错密度值之间的关系式，得到所述待检测晶体硅样品的位错密度值。另，本发明还公开了一种晶体硅位错的检测系统。采用本发明提供的晶体硅位错检测方法及检测系统，可对大尺寸的晶体硅直接进行检测，并能得到直观的位错结果，该检测方法简单可靠，为观察晶体硅的位错提供了新的方法。 【专利类型】发明授权 【申请人】江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 【申请人地区】中国 【申请人城市】新余市 【申请号】CN201210171066.8 【申请日】2012-05-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102721697B 【公开公告日】2014-04-30 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102721697B 【授权公告日】2014-04-30 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01N21/88; G01N1/32 【发明人】何亮; 张涛; 胡动力; 雷琦; 黄雪雯 【主权项内容】1.一种晶体硅位错的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)取待检测晶体硅样品进行抛光，接着用腐蚀液腐蚀，随后终止腐蚀；(2)采用高清成像系统对所述晶体硅进行成像，得到晶体硅腐蚀图像，从而得到所述晶体硅腐蚀图像的腐蚀坑灰度像素比例；所述腐蚀坑灰度像素比例是指检测区域内，所述腐蚀图像中像素为0～110的灰色部分所占的比例；(3)根据腐蚀坑灰度像素比例与位错密度值之间的关系式，得到所述待检测晶体硅样品的位错密度值；所述腐蚀坑灰度像素比例与位错密度值之间的关系式按如下方法建立：取晶体硅标准样品，经步骤(1)和步骤(2)操作后，得到腐蚀坑灰度像素比例，采用光学显微镜检测所述晶体硅标准样品，得到所述晶体硅标准样品的位错密度值，建立所述腐蚀坑灰度像素比例与所述位错密度值之间的关系式。 （，） 【当前权利人】江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 【当前专利权人地址】江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91360500775877086F 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12

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