【摘要】本发明公开了一组特异识别化脓性链球菌的寡核苷酸适配子，属于食品卫生、临床医学检测领域。针对现有技术中尚无化脓性链球菌寡核苷酸适配子的缺陷，本发明通过竞争SELEX技术结合化脓性链球菌，经过12轮反复的孵育、清洗、解离、扩增、λ核酸外
【摘要】 本发明涉及一种基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构及制备方法，属于外延片的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构，包括AlN陶瓷衬底及生长于AlN陶瓷衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有GaNLED结构层。本发明采用AlN陶瓷衬底，并在AlN陶瓷衬底上设置缓冲层，通过生长缓冲层后在AlN陶瓷衬底上通过MOCVD常规工艺制备得到GaNLED结构层，工艺步骤简单方便，能大大提高GaNLED晶体质量，同时可以在GaNLED结构层内设置DBR层及粗化层，以提高通过GaNLED结构层得到LED工作时的出光效率，通过AlN陶瓷衬底能提高导热性能，结构简单紧凑，工艺简单，机械性能优良，耐腐蚀，延长通过外延片制备LED器件的使用寿命，稳定可靠。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏新广联科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214111 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区团结北路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】锡山区 【申请号】CN201210136796.4 【申请日】2012-05-04 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102637791B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102637791B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】郭文平; 王东盛; 钟玉煌 【主权项内容】1.一种基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构，其特征是：包括AlN陶瓷衬底(101)及生长于AlN陶瓷衬底(101)上的缓冲层(102)，所述缓冲层(102)上生长有GaN LED结构层； 所述AlN陶瓷衬底(101)的厚度为50mm~300mm，AlN陶瓷衬底(101)的晶相为<001>、<111>、<110>的单晶体或多晶体； 所述AlN陶瓷衬底(101)为多晶体时，AlN陶瓷衬底(101)与缓冲层(102)间设置有晶相为<001>的单晶取向层或类单晶取向层； 所述缓冲层(102)的厚度为10nm~100nm；缓冲层(102)为AlxGa1-xN层、InxGa1-xN层或 AlxInyGa1-x-yN层；其中，x为0.01~0.99，y为0.01~0.99； 所述GaN LED结构层包括生长于缓冲层(102)上的非掺杂GaN层(103)、所述非掺杂GaN层(103)上生长有N型氮化镓层(104)，所述N型氮化镓层(104)上生长有多量子阱层(11)，所述多量子阱层(11)上生长有P型铝镓氮层(105)，所述P型铝镓氮层(105)上生长有P型氮化镓层(106)； 所述非掺杂GaN层(103)与N型氮化镓层(104)间设置DBR层(12)，所述DBR层(12)生长于非掺杂GaN层(103)上； 所述P型氮化镓层(106)上生长有粗化层(107)； 所述DBR层(12)为AlmGa1-mN、GaN的周期结构，所述周期是1~100，m范围是0.01~0.99。 -官网 【当前权利人】元旭半导体科技股份有限公司 【当前专利权人地址】山东省潍坊市高新区玉清街以北银枫路以西光电园第三加速器西区 【专利权人类型】股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】91320200134796825N 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5
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