【摘要】本发明提供一种半导体功率器件,通过巧妙地结合传统IGBT和VDMOS,形成具有共用部分的由基本的纵向IGBT和基本的横向DMOS组成的新型半导体功率器件;调整重掺杂第二导电类型区的掺杂浓度或采用寿命控制的方法,以降低基本的纵向IGB
【摘要】 本发明公开一种旅行用筷子,两支筷子均由入口部、柄部和堵头组成,所述入口部和柄部均采用不锈钢材料制成,所述入口部的后端加工有圆柱形的凸台,所述凸台的外圆面加工有外螺纹,所述柄部的一端加工有内螺纹孔,该内螺纹孔与入口部的凸台的外螺纹啮合,所述柄部的另一端加工有置物孔,置物孔孔口处设置有堵头。本发明的旅行用筷子为模块结构,使用时,将入口部和柄部旋紧即可,另外在置物孔中可放入牙签等物,取用也很方便,本发明具有制造简单、携带和使用都很方便的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】蔡瑾玒 【申请人类型】个人 【申请人地址】214107 江苏省无锡市锡山区羊尖镇锡沪路76号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】锡山区 【申请号】CN201210381493.9 【申请日】2012-10-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103720301A 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】A47G21/10; A47G21/12 【发明人】张鹏 【主权项内容】一种旅行用筷子,两支筷子均由入口部(1)、柄部(2)和堵头(3)组成,其特征在于:所述入口部(1)的后端加工有圆柱形的凸台(11),所述凸台(11)的外圆面加工有外螺纹(12),所述柄部(2)的一端加工有内螺纹孔(21),该内螺纹孔(21)与入口部(1)的凸台(11)的外螺纹(12)啮合,所述柄部(2)的另一端加工有置物孔(22),置物孔(22)孔口处设置有堵头(3)。 【当前权利人】蔡瑾玒 【当前专利权人地址】江苏省无锡市锡山区羊尖镇锡沪路76号
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