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MEMS结构的牺牲层湿法腐蚀方法及MEMS结构专利

时间:2026-09-25    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明提供一种微机电系统(MEMS)结构的牺牲层湿法腐蚀方法。根据所述方法,在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性,进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。本发明还提供了用所述方法得到的MEMS结构。采用本发明所提供的方法,可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌,尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌,从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210236844.7 【申请日】2012-07-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103539064A 【公开公告日】2014-01-29 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103539064B 【授权公告日】2016-03-02 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】B81C1/00; B81B7/00 【发明人】苏佳乐 【主权项内容】一种微机电系统(MEMS)结构的牺牲层湿法腐蚀方法,其特征在于,在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性,进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】1

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