【摘要】 本发明涉及一种高密度电容器及其电极引出方法，其包括衬底；衬底上生长若干局部电极层，局部电极层包括偶数局部电极层及与所述偶数局部电极层相匹配的奇数局部电极层，奇数局部电极层与偶数局部电极层间设有高介电常数介质层，衬底的上方设有互连电极层，互连电极层包括偶数互连电极及奇数互连电极，奇数互连电极与偶数互连电极间绝缘隔离。本发明电容器具有电容量大、等效串联电感小、等效串联电阻可调，等效串联电阻可根据电路的要求调整以达到最佳匹配；产品高精度、高可靠、体积小、寿命长、环保，可广泛应用于高频电路去耦、降噪使用，也可用在普通储能电路中，容易集成，可集成在IC芯片上或与IC封装在同一封装内。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡纳能科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214072 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100号530大厦2号楼2003室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210002933.5 【申请日】2012-01-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569250B 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569250B 【授权公告日】2014-03-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/522; H01L21/768; H01L21/60 【发明人】雷鸣; 陈杰; 陈立军 【主权项内容】一种高密度电容器，包括衬底(1)；其特征是：所述衬底(1)上生长若干局部电极层(2)，所述局部电极层(2)包括偶数局部电极层(10)及与所述偶数局部电极层(10)相匹配的奇数局部电极层(11)，所述奇数局部电极层(11)与偶数局部电极层(10)间设有高介电常数介质层(3)；所述衬底(1)的上方设有互连电极层，所述互连电极层包括用于与偶数局部电极层(10)电连接的偶数互连电极(8)及用于与奇数局部电极层(11)电连接的奇数互连电极(7)，所述奇数互连电极(7)与偶数互连电极(8)间绝缘隔离；所述衬底(1)上设有用于增大表面积的扩张区域，所述局部电极层(2)及高介电常数介质层(3)生长于所述扩张区域内及衬底(1)对应的表面上。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320211697943569L 【引证次数】3.0 【被引证次数】4 【他引次数】3.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】25

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