【摘要】 本发明提供了一种DDR信号布线封装基板以及DDR信号布线封装方法。在芯片上对称放置多个DDR存储控制模块。在芯片之外的区域中，与多个DDR存储控制模块相对应地对称布置多个存储控制信号引脚。利用对称布置的多个DDR信号线将多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至多个存储控制信号引脚之一。DDR信号布线封装基板包括依次层叠的地平面层、第一介质层、DDR信号层、第二介质层、以及DDR接口电源平面层；其中DDR接口电源平面层和地平面层同时选择作为DDR信号的参考平面层。通过对称布置的多个DDR信号过孔，将多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至多个存储控制信号引脚之一。参照多个DDR信号过孔的位置相应地对称布置多个地孔。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡江南计算技术研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】214083 江苏省无锡市滨湖区军东新村030号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210324768.5 【申请日】2012-09-05 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102800644B 【公开公告日】2014-12-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102800644B 【授权公告日】2014-12-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/498; H01L23/12; H01L21/58; H01L21/60 【发明人】胡晋; 丁亚军; 金利峰; 李川; 王玲秋; 王彦辉 【主权项内容】一种DDR信号布线封装基板，其特征在于包括：在所述DDR信号布线封装基板的芯片上对称放置的多个DDR存储控制模块；在所述DDR信号布线封装基板的所述芯片之外的区域中布置的与所述多个DDR存储控制模块相对应地对称布置的多个存储控制信号引脚；以及将所述多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至所述多个存储控制信号引脚之一的对称布置的多个DDR信号线；其中，所述DDR信号布线封装基板依次层叠的地平面层、第一介质层、DDR信号层、第二介质层、以及DDR接口电源平面层；其中所述DDR接口电源平面层和所述地平面层同时选择作为DDR信号的参考平面层；所述的DDR信号布线封装基板进一步包括：将所述多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至所述多个存储控制信号引脚之一而形成的对称布置的多个DDR信号过孔；以及参照所述多个DDR信号过孔的位置相应地对称布置的多个地孔。 【当前权利人】无锡江南计算技术研究所 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区军东新村030号 【专利权人类型】全民所有制 【统一社会信用代码】91320200835941618K 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】8

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790304445.html