【摘要】 本发明所公开的是一种采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备，包括计算机信息采集控制器、反应室、金属基片装料室、气相金属有机物供应装置、氮气和/或氢气和/或氨气供应装置、ECR等离子体源供应装置、真空度计量器、反射高能电子衍射仪与荧光屏相对组成的成像显示器，以其还包括磁场线圈支撑圆筒、光电报警器、法拉第筒、电子探针和直流偏压电源为主要特征，具有结构合理、镀膜质量好、工效高、所述芯片制备成本低等特点。 【专利类型】发明授权 【申请人】大连理工常州研究院有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213164 江苏省常州市武进区常武中路801号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】武进区 【申请号】CN201210247144.8 【申请日】2012-07-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102751399B 【公开公告日】2014-12-17 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102751399B 【授权公告日】2014-12-17 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01J37/32; C23C16/44; C23C16/52 【发明人】秦福文; 林国强; 刘勤华 【主权项内容】1.一种采用金属基片制备垂直GaN 基LED芯片的设备，包括：一计算机信息采集控制器(29)；一反应室(1)；在反应室(1)内设有与反应室(1)同中心布置的可上下移动的机械式回转金属基片料台(5)；金属基片料台(5)设有电加热装置(60)；反应室(1)底部与抽真空设备(3)管路连接，通过抽真空设备(3)可令反应室(1)内形成负压；一包括装料门(26)在内的金属基片装料室(2)；所述金属基片装料室(2)的一端设有磁动/气动送料装置(4)，而其另一端通过与计算机信息采集控制器(29)电连接的磁动控制阀(2-1)与反应室(1)密封连接贯通；驱动磁动/气动送料装置(4)的送料杆(4-1)和与计算机信息采集控制器(29)电连接的磁动机械手(27)，可将金属基片输送至所述金属基片料台(5)的台面上；一气相金属有机物供应装置(21)；所述气相金属有机物供应装置(21)的上游，与气相金属有机物混合配制装置(YP)的气相金属有机物混气室(47)管路连接，而其下游与设在所述金属基片料台(5)上方的具有若干个沿圆周方向分开布置的供气孔的供气环(21-1)管路连接；一氮气和/或氢气和/或氨气供应装置(56)；所述氮气和/或氢气和/或氨气供应装置(56)的上游，与氮气和/或氢气和/或氨气混合配制装置(DQ)的氮气/氢气/氨气混合室(54)管路连接，而其下游与反应室(1)管路连接；一微波电子回旋共振ECR等离子体源供应装置(6)；所述电子回旋共振ECR等离子体源供应装置(6)包括微波源(14)，与微波源(14)连接贯通的波导管(15)，可调长度的微波耦合天线(16)和在反应室(1)的顶上设有与反应室(1)同中心布置的圆筒形谐振腔(17)；所述谐振腔(17)所包括的由若干个永磁铁(19-1)排列组成的永磁铁环(19)的内腔设有石英杯(20)；真空度计量器(8)和用来检测金属基片表面镀层微结构信息的由反射高能电子衍射仪(10)与荧光屏(11)相对组成的视屏显示装置；所述计算机信息采集控制器(29)，还分别与微波源(14)、真空度计量器(8)、电加热装置(60)的温度传感器(60-1)、反射高能电子衍射仪(10)和荧光屏(11)电信号连接；且还分别与磁动/气动送料装置(4)的控制件、金属基片料台(5)的机械式回转及上下移动电机控制件、气相金属有机物供应装置(21)的各路质量流量控制器及终端供气电磁阀、氮气和/或氢气和/或氨气供应装置(56)的各路质量流量控制器电连接；通过计算机信息采集控制器(29)，实时对磁动/气动送料杆(4-1)的进出运动、金属基片料台(5)的转速和上下移动距离、微波源(14)的输出功率和时间、电加热装置(60)的温度和加热时间、以及对反应室(1)所供应的气相金属有机物的供气量和供气时间、氮气和/或氢气和/或氨气的供气量和供气时间实施自动调控；其特征在于：还包括：一磁场线圈支撑圆筒(22)；所述支撑圆筒(22)布置在谐振腔(17)的底部，且与反应室(1)的顶部法兰连接，在支撑圆筒(22)内部设有线圈绕组(22-1)；所述气相金属有机物供应装置(21)的供气环(21-1)，设在所述支撑圆筒(22)内；所述线圈绕组(22-1)的电流控制和得失电磁动开关与计算机信息采集控制器(29)电连接；一光电报警器(9)；所述光电报警器(9)设在谐振腔(17)部位，且与计算机信息采集控制器(29)电连接；用其提供谐振腔(17)内的所述电子回旋共振ECR等离子体放电熄火报警及自动恢复放电功能；一法拉第筒(12)；所述法拉第筒(12)设置在反应室(1)的顶部，且与计算机信息采集控制器(29)电连接，法拉第筒(12)的探头设置在磁场线圈支撑圆筒(22)的内侧，且靠近金属基片料台(5)的边缘，以准确测控金属基片料台(5)附近的所述电子回旋共振ECR等离子体的离子温度和密度；一电子探针(13)；所述电子探针(13)设置在反应室(1)的顶部，且与计算机信息采集控制器(29)电连接，电子探针(13)的探头设置在磁场线圈支撑圆筒(22)的内侧，且靠近金属基片料台(5)的边缘，以准确测控金属基片料台(5)附近的所述电子回旋共振ECR等离子体的电子温度和密度；一直流偏压电源(57)；所述直流偏压电源(57)与金属基片料台(5)电连接，且其输出电路磁动开关与计算机信息采集控制器(29)电连接，用以提高金属基片表面入射反应离子的通量和能量；所述氮气和/或氢气和/或氨气供应装置(56)输送管路的下游与反应室(1)的顶部法兰连接，且由设在石英杯(20)敞口端的沿圆周方向设有若干通孔的第二供气环(56-1)直接通入石英杯(20)内；所述反射高能电子衍射仪(10)出射的电子束，位于所述支撑圆筒(22)的下方且与金属基片表面相贴近。 【当前权利人】大连理工高邮研究院有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市高邮市城南经济新区中心大道天成大厦8楼 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】913204126821619943 【引证次数】8.0 【被引证次数】18 【自引次数】1.0 【他引次数】7.0 【被他引次数】18.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】21

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