【摘要】 本发明所公开的是一种硅片的清洗工艺，以经过切割处理的硅片为加工对象，该清洗工艺依次按以下步骤进行：第一步：将硅片放入装有清洗混合溶液的超声波清洗机内进行清洗；第二步：漂净；第三步：甩干；第四步：将硅片放入腐蚀溶液中进行腐蚀；第五步：漂净；第六步：将硅片进行超声波清洗；第七步：漂净；第八步：甩干；第九步：将经第八步甩干后的硅片放入烘箱内烘燥，即硅片清洗完毕。本发明具有工艺合理、硅片表面清洁度高等特点。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州银河半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213022 江苏省常州市新北区河海西路168号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210061167.X 【申请日】2012-03-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569036B 【公开公告日】2014-03-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569036B 【授权公告日】2014-03-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/02 【发明人】唐国琴 【主权项内容】1.一种硅片的清洗工艺，以经过切割处理的硅片为加工对象，其特征在于：该清洗工艺依次按以下步骤进行：第一步：将硅片放入装有清洗混合溶液的超声波清洗机内进行清洗，且清洗时间控制在16~25分钟范围内，所述超声波清洗机的频率控制在40~55Hz范围内，所述清洗混合溶液是由去离子水：清洗剂按容积比为22~25 ：0.6~1.0配制的混合液；而所述清洗混合溶液中的清洗剂，是其成分包含氢氧化钾，阴/阳离子表面活性剂，络合剂和消泡剂的JH-16清洗剂；第二步：将经第一步清洗后的硅片，放入装有去离子水的水槽内多次冲洗后取出；第三步：将经第二步冲洗后的硅片放入甩干机内甩干，且甩干机的转速控制在650~750转/分钟范围内；第四步：将经第三步甩干后的硅片放入腐蚀溶液中进行腐蚀，且时间控制在30~45秒范围内；所述腐蚀溶液是由硝酸：氢氟酸：冰乙酸：去离子水按容积比为1~2：2~4：1~2：3~6.8配制的混合液；第五步：将经第四步腐蚀后的硅片放入装有去离子水的水槽内多次冲洗后取出；第六步：将经第五步冲洗后的硅片放入装有清洗混合溶液的超声波清洗机内进行清洗，且清洗时间控制在16~25分钟范围内，所述超声波清洗机的频率控制在40~55Hz范围内；所述清洗混合溶液是由去离子水：清洗剂按容积比为22~25 ：0.6~1.0配制的混合液；而所述清洗混合溶液中的清洗剂，是其成分包含氢氧化钾，阴/阳离子表面活性剂，络合剂和消泡剂的JH-16清洗剂；第七步：将经第六步超声波清洗后的硅片放入装有去离子水的水槽内多次冲洗后取出；第八步：将经第七步冲洗后的硅片放入甩干机内甩干，且甩干机的转速控制在650~750转/分钟范围内；第九步：将经第八步甩干后的硅片放入烘箱内烘燥25~65分钟，且温度控制在40~90℃范围内，即硅片清洗完毕。 【当前权利人】常州银河电器有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区河海西路168号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】913204117311828210 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】9

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