【摘要】 本发明公开了一种制备GaAs薄膜材料的方法，以Ga2O3，As2O3以及活性炭C为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升温速度在5~10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内, 沉积区加热升温至600℃~800℃范围内，恒温3~4h，其间保持真空度不小于-0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到灰黑色的GaAs薄膜，本发明使用的原料简单，价廉易得，且均为固体或无毒气体，对环境无污染，对操作人员无安全威胁。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州星海电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213022 江苏省常州市新北区天目湖1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210552365.6 【申请日】2012-12-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103147038B 【公开公告日】2014-10-29 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103147038B 【授权公告日】2014-10-29 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C23C14/06; C23C14/24; C30B23/02; C30B29/42 【发明人】刘兴泉; 张铭菊 【主权项内容】一种制备GaAs薄膜材料的方法，其特征在于：以Ga2O3，As2O3以及活性炭C为原料，加入与固体原料质量50％～100％相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10～15MPa的压力将其压成厚度为1～10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用Ar与H2的混合气体抽真空置换1～2次，所述的H2体积占混合气体总体积的10％～30％，抽真空至7～13Pa，控制升温速度在5～10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃～1250℃范围内, 沉积区加热升温至600℃～800℃范围内，恒温3～4h，其间保持真空度不小于-0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到灰黑色的GaAs薄膜。。-官网 【当前权利人】常州星海电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市高新技术产业开发区天目湖路1号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】913204116081248533 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6

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