【摘要】一种改进型终端结构的沟槽功率MOS器件,其分压保护区和截止保护区使用同一个深沟槽;分压保护区采用侧壁保护结构,侧壁保护结构由深沟槽及其侧壁残留的导电多晶硅所形成,深沟槽由绝缘介质覆盖,绝缘介质上覆盖有金属连线;截止保护区采用接触孔结
【摘要】 1.产品名称:落地灯(3)。2.产品用途:用于照明。3.产品的形状为设计要点。4.产品的立体图最能表明设计要点。 【专利类型】外观设计 【申请人】江南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030589094.3 【申请日】2010-10-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301560133S 【公开公告日】2011-05-25 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301560133S 【授权公告日】2011-05-25 【授权公告年份】2011.0 【发明人】张寒凝; 李强 【主权项内容】无 【当前权利人】江南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1210000071780177X1
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