【摘要】 一种改进型终端结构的沟槽功率MOS器件，其分压保护区和截止保护区使用同一个深沟槽；分压保护区采用侧壁保护结构，侧壁保护结构由深沟槽及其侧壁残留的导电多晶硅所形成，深沟槽由绝缘介质覆盖，绝缘介质上覆盖有金属连线；截止保护区采用接触孔结构，接触孔位于深沟槽内，其深度穿过深沟槽下方的第一导电类型掺杂区，伸入到第一导电类型掺杂区下方的第一导电类型外延层；接触孔内填充有浮置的金属连线。本实用新型的电势线更为集中的在大的深沟槽右侧收敛，且收敛性非常好，可以通过减少截止保护区到分压保护区的距离来节省整个终端保护结构的面积，同时又不会影响到器件的性能。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号太湖科技中心8楼801 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020168621.8 【申请日】2010-03-12 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201708155U 【公开公告日】2011-01-12 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201708155U 【授权公告日】2011-01-12 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/088; H01L29/78; H01L29/06; H01L23/528; H01L21/8234 【发明人】朱袁正; 冷德武; 叶鹏; 丁磊 【主权项内容】一种改进型终端结构的沟槽功率MOS器件，包括位于半导体基板中心由元胞组成的元胞区，以及元胞区外围的终端保护结构，所述元胞区内的元胞通过位于沟槽内的导电多晶硅并联成整体；所述终端保护结构包括内侧的分压保护区和外侧的截止保护区，其特征在于：所述分压保护区和截止保护区使用同一个深沟槽；所述分压保护区采用侧壁保护结构，所述侧壁保护结构由所述深沟槽及其侧壁残留的导电多晶硅所形成；所述深沟槽位于第二导电类型层，其深度伸入到第二导电类型层下方的第一导电类型外延层；所述深沟槽壁表面生长有绝缘栅氧化层，所述深沟槽靠元胞区一侧的侧壁上有导电多晶硅；所述深沟槽由绝缘介质覆盖，绝缘介质上覆盖有金属连线；所述截止保护区采用接触孔结构，所述接触孔位于所述深沟槽内，其深度穿过深沟槽下方的第一导电类型掺杂区，伸入到第一导电类型掺杂区下方的第一导电类型外延层；所述接触孔内填充有浮置的金属连线；对于N型深沟槽功率MOS器件，所述第一导电类型是N型，第二导电类型是P型；对于P型深沟槽功率MOS器件，所述第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。 【当前权利人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号太湖科技中心8楼801 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】2

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1781951396.html