【摘要】 一种降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置有N型埋层，P型阱区，N型阱区，N型漂移区，在P型阱区表面靠左侧上设置有P型接触区、N型源区和N型沟道注入区，P型阱区内设有P型注入区，且P型注入区的左端边界位于N型源区的下方，P型注入区的右端边界与漏端N型漂移区相邻。P型接触区和多晶硅电极通过互连金属连线相连接作为栅极。该结构大幅度的降低了N型耗尽型横向双扩散金属氧化物半导体管的阈值电压。在电路应用中漏极金属连线直接连接至高压电源，栅极金属连线接地，源极金属连线直接连接低压电路，为低压电路提供低压电源。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010265890.0 【申请日】2010-08-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101969072A 【公开公告日】2011-02-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101969072B 【授权公告日】2013-01-02 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06 【发明人】孙伟锋; 钱钦松; 朱奎英; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底(1)，在P型半导体衬底(1)上设置有N型埋层(2)，在N型埋层(2)上设置有P型阱区(3)，在P型阱区(3)的左右两侧分别设有构成PN结隔离的第一N型阱区(4)及第二N型阱区(19)，在第一N型阱区(4)上设有第一N型欧姆接触区(21)，在第二N型阱区(19)上设有第二N型欧姆接触区(22)，在P型阱区(3)表面右侧设置有漏端N型漂移区(6)，在漏端N型漂移区(6)表面上设置有N型漏区(10)，在P型阱区(3)表面左侧设置有P型接触区(7)、N型源区(8)和N型沟道注入区(9)，在N型沟道注入区(9)上方设置有栅氧化层(12)，在P型阱区(3)、第一N型阱区(41)及第二N型阱区(42)的表面的P型接触区(7)、N型源区(8)、N型沟道注入区(9)、N型漏区(10)、第一N型欧姆接触区(21)和第二N型欧姆接触区(22)之外区域设置有场氧化层(11)，在栅氧化层(12)的上方设置有多晶硅电极(13)且所述多晶硅电极(13)延伸至和栅氧化层(12)右侧相邻的场氧化层上方，在P型接触区(7)和多晶硅电极(13)上方布有栅极金属连线(14)，在N型漏区(10)上方有漏极金属连线(17)，在N型源区(8)上方有源极金属连线(16)，在第一N型欧姆接触区(21)上连接有第一金属电极连线(18)，在第二N型欧姆接触区(22)上连接有第二金属电极连线(20)，在P型接触区(7)、N型源区(8)、N型漏区(10)、场氧化层(11)、多晶硅电极(13)、第一N型欧姆接触区(21)和第二N型欧姆接触区(22)的表面的栅极金属连线(14)、源极金属连线(16)、漏极金属连线(17)、第一金属电极连线(18)和第二金属电极连线(20)之外区域设置有介质隔离氧化层(15)，其特征在于在P型阱区(3)内设有P型注入区(5)，且P型注入区(5)的左端边界位于N型源区(8)的下方，P型注入区(5)的右端边界与漏端N型漂移区(6)相邻。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【被引证次数】18 【他引次数】3.0 【被他引次数】18.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】18

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