【摘要】 本发明涉及一种制作多层石墨烯TEM样品的方法。本发明首先利用CVD装置在铜箔表面生长出石墨烯薄膜，并将转移介质旋涂在石墨烯表层；接着利用腐蚀溶液将铜箔完全腐蚀，并利用转移介质将石墨烯转移至附有碳膜的支撑网上；然后将结合体放置并漂浮在有机溶剂表面，注意转移介质一侧与有机溶剂紧密贴合；其次当转移介质被有机溶剂完全腐蚀后，结合体静置干燥一段时间，再将另一层附有石墨烯的转移介质均匀贴放在上述结合体表面；最后将结合体再次放置并漂浮在有机溶剂表面，重复以上操作过程，可以得到多层石墨烯的TEM样品。本发明制备出的多层石墨烯TEM样品可以精确控制其石墨烯薄膜层数。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210229786.5 【申请日】2012-07-02 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102759467B 【公开公告日】2014-10-29 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102759467B 【授权公告日】2014-10-29 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01N1/28; G01N1/32 【发明人】董策舟; 王宏涛; 李倩倩; 聂安民; 周武; 竺鑫桥 【主权项内容】1.一种制作多层石墨烯TEM样品的方法，其特征在于该方法包括以下步骤： 步骤1：利用CVD装置在铜箔两侧上生长出单层石墨烯薄膜，将转移介质均匀旋涂在铜箔一侧的石墨烯薄膜表层； 步骤2：利用腐蚀溶液将铜箔完全腐蚀干净，得到附有单层石墨烯的转移介质； 步骤3：将步骤2得到的单层石墨烯通过转移介质转移至支撑网的碳膜表面，保证单层石墨烯与碳膜完全贴合； 步骤4：将支撑网、碳膜、石墨烯和转移介质组成的结合体放置并且漂浮在有机溶剂表面，保证转移介质与有机溶剂紧密接触；利用有机溶剂的表面张力，使被腐蚀的转移介质无损伤地大面积转移石墨烯至附有碳膜的支撑网上； 步骤5：当转移介质被有机溶剂完全腐蚀后，将支撑网、碳膜和石墨烯组成的结合体静置一段时间直至完全干燥，得到石墨烯薄膜； 步骤6：将步骤2得到的单层石墨烯通过转移介质转移至石墨烯薄膜表面，并且使两层石墨烯完全贴合，形成结合体； 步骤7：将步骤6中得到结合体再次小心地放置并漂浮在有机溶剂表面，保证转移介质与有机溶剂紧密接触； 步骤8：当转移介质被有机溶剂完全腐蚀后，将支撑网、碳膜和石墨烯组成的结合体静置一段时间直至完全干燥，可以得到两层石墨烯TEM样品； 步骤9：重复步骤6至步骤8操作过程，可以得到多层石墨烯TEM样品。 2.根据权利要求1所述的制作多层石墨烯TEM样品的方法，其特征在于：步骤1所述的转移介质可以为PMMA或PDMS有机介质。 3.根据权利要求1所述的制作多层石墨烯TEM样品的方法，其特征在于：步骤2所述的腐蚀溶液可以为FeCl3或Fe(NO3)3溶液。 4.根据权利要求1所述的制作多层石墨烯TEM样品的方法，其特征在于：步骤3所述的支撑网可以为金质支撑网或铜质支撑网。 5.根据权利要求1所述的制作多层石墨烯TEM样品的方法，其特征在于：步骤4和步骤7所述的有机溶剂相同，所述有机溶剂可以同时为甲苯、四氢呋喃、氯仿或丙酮。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】14

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