【摘要】 本发明公开了一种高气孔率的碳化硅多孔陶瓷的制备方法，以重量百分比为60％～80％的碳化硅粉体、10%的碳化硼、5％～25％的铁氧化物和5％聚乙烯醇组成原料，依次进行混料、喷雾造粒、挤压成型、干燥和烧结，烧结步骤的工艺条件为：将干燥后素坯采用无压烧结技术，于2100~2200℃的烧结温度下烧结10~15小时，得高气孔率的碳化硅多孔陶瓷。采用本发明方法制备而得的碳化硅多孔陶瓷具有孔径尺寸可控、显气孔率高、比表面积较大，强度满足应用要求等特点。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210274162.5 【申请日】2012-08-02 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102807384B 【公开公告日】2014-06-18 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102807384B 【授权公告日】2014-06-18 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C04B38/00; C04B35/565; C04B35/622 【发明人】郭兴忠; 朱林; 杨辉; 郑志荣 【主权项内容】1.高气孔率的碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征是：以重量百分比为60％～80％的碳化硅粉体、10%的碳化硼、5％～25％的铁氧化物和5％聚乙烯醇组成原料，依次包括以下步骤：1)、混料：以碳化硅粉体为骨料，以碳化硼为烧结助剂，以铁氧化物为造孔剂，以聚乙烯醇为粘结剂，将原料加水后均匀搅拌混合；得料浆；2)、喷雾造粒：将料浆进行喷雾造粒，得粉料；3)、挤压成型：所得粉料通过挤压成型设备制备得到素坯；4)、干燥：采用微波加热排出水分，高温加热排除有机物；得干燥后素坯；微波加热的功率为420~480瓦，加热时间为30~80分钟；高温加热的温度为100~150℃，加热时间为40~100分钟；5)、烧结：将干燥后素坯采用无压烧结技术，于2100~2200℃的烧结温度下烧结10~15小时，得高气孔率的碳化硅多孔陶瓷；室温~120℃时，升温速度为5~10℃/mi；120~600℃时，升温速度为10~12℃/min；600℃~烧结温度时，升温速度为10~15℃/min。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】17.0 【他引次数】17.0 【家族引证次数】19.0 【家族被引证次数】13

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