【摘要】 本发明提供了一种偏置电压产生电路，包括：第一控制电路和第一电容，其中，所述第一控制电路比较所述第一开关管的漏源电压和所述第一电容两端电压，当所述第一开关管的漏源电压大于所述第一电容两端电压时或者当所述第一开关管的漏源电压大于所述第一电容两端电压而小于过压保护电压时，所述第一控制电路控制所述第一电容进行充电动作，在充电过程中，所述第一电容两端电压小于过压保护电压。采用本发明提供的偏置电压产生电路能满足控制电路的供电需求，且本发明提供的电路结构简单，成本低，效率高。 【专利类型】发明申请 【申请人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201410175651.4 【申请日】2012-09-14 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103929050A 【公开公告日】2014-07-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103929050B 【授权公告日】2016-06-01 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H02M1/08; H02M3/28; H02M1/00 【发明人】陈伟 【主权项内容】一种偏置电压产生电路，应用于开关电源中，所述开关电源包括有一功率级电路和控制电路，其特征在于，所述偏置电压产生电路包括，第一控制电路和第一电容；所述第一控制电路包括，第二比较器、第三比较器、第一与门和第三开关管，所述第二比较器的反相输入端接收所述第一电容两端电压，其同相输入端接收所述功率级电路的第一开关管的漏源电压；所述第三比较器的反相输入端接收所述第一电容两端电压，其同相输入端接收过压保护电压；所述第一与门分别接收所述第二比较器的输出信号、所述第三比较器的输出信号以及与所述第一开关管的控制信号相反的信号，所述第一与门的输出端输出一第二控制信号；所述第三开关管的控制端与所述第一与门的输出端相连以接收所述第二控制信号，其第一端连接在所述第一开关管的一功率端，第二端与所述第一电容连接，在所述功率级电路中的第一开关管为关断状态时，所述第一控制电路比较所述第一开关管的漏源电压和所述第一电容两端电压，当所述第一开关管的漏源电压大于所述第一电容两端电压时，所述第一控制电路控制所述第一电容进行充电动作；在充电过程中，所述第一电容两端电压小于所述过压保护电压，其中，所述过压保护电压为不小于所述控制电路的期望偏置电压。 【当前权利人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330100673960735E 【引证次数】8.0 【被引证次数】4 【自引次数】2.0 【他引次数】6.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】40

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791598788.html