【摘要】 本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，包括P-衬底层；P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱，N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区；N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P-阱上并排设有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；第一N+有源注入区和第一P+有源注入区通过第一金属电极相连，第二P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连。本发明通过在可控硅器件中内嵌齐纳管结构，利用齐纳管作为辅助触发单元，可以进一步有效降低可控硅的触发电压，实现低触发电压的ESD防护，使得可控硅可直接应用于电源域为1.2～5V的深亚微米集成电路芯片的ESD防护。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210015046.1 【申请日】2012-01-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569374B 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569374B 【授权公告日】2014-05-07 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/74; H01L29/06 【发明人】董树荣; 吴健; 黄丽; 苗萌; 曾杰; 马飞; 郑剑锋 【主权项内容】一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，其特征在于，包括：P-衬底层(10)；所述的P-衬底层(10)上设有N-阱(21)和P-阱(22)，所述的N-阱(21)与P-阱(22)并排相连；所述的N-阱(21)与P-阱(22)的接合处上设有第三N+有源注入区(33)；所述的N-阱上(21)并排设有第一N+有源注入区(31)和第一P+有源注入区(41)；所述的第一P+有源注入区(41)位于第一N+有源注入区(31)和第三N+有源注入区(33)之间；所述的P-阱(22)上并排设有第二P+有源注入区(42)和第二N+有源注入区(32)；所述的第二P+有源注入区(42)位于第二N+有源注入区(32)和第三N+有源注入区(33)之间；所述的第一N+有源注入区(31)与第一P+有源注入区(41)、第二P+有源注入区(42)与第二N+有源注入区(32)或第一P+有源注入区(41)与第三N+有源注入区(33)通过浅槽(6)隔离，所述的第三N+有源注入区(33)和第二P+有源注入区(42)共用有源区；所述的第一N+有源注入区(31)和第一P+有源注入区(41)通过第一金属电极(51)相连，所述的第二P+有源注入区(32)和第二N+有源注入区(42)通过第二金属电极(52)相连。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】2.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5

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