【摘要】 本发明公开了一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法，包括：(1)将所述的单晶硅片经清洗、晾干，于60-80℃条件下在由重量比为10-20∶0.8-12∶100-200的NaOH、异丙醇和去离子水组成的混合溶液中浸泡腐蚀20-400s，得预处理后的单晶硅片；(2)将预处理后的单晶硅片清洗后，用常规单晶硅制绒工艺进行制绒。本发明的方法成功的将金刚线切割的单晶硅片应用于现有的制绒工艺中进行制绒，绒面大小合适、分布更均匀，且不增加制绒时间和成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210031456.5 【申请日】2012-02-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102560685B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102560685B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C30B33/10; C30B29/06 【发明人】余学功; 陈林; 杨德仁; 路景刚 【主权项内容】1.一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法，其特征在于，包括： (1)金刚线切割的单晶硅片经过清洗、甩干； (2)在普通制绒工艺最前端加一个预反应槽，在该预反应槽中添加预处理溶液，预处理溶液为NaOH、异丙醇及去离子水的混合液；NaOH10kg，异丙醇10L，H2O150L； (3)将步骤1)中的单晶硅片取1框300片放入步骤(2)中增加的预反应槽中进行预处理，即浸泡时间为120s，温度为70℃； (4)将步骤3)中经过预处理的单晶硅片经过70℃的去离子水清洗1min； (5)将步骤4)中清洗后的单晶硅片直接按常规制绒工艺进行制绒：常规制绒工艺的制绒液由1.5kg NaOH，4L异丙醇，250ml制绒添加剂和150L去离子水组成，处理时间为20min，温度为80℃。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5

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