【摘要】 本发明公开了一种阵列式X射线传感器，包括光电管阵列和闪烁晶体；光电管阵列包括P+衬底和P-外延层，P-外延层上嵌设有若干阵列排布的有源区块；P-外延层上铺设有氧化层，氧化层中开有若干接触通孔，氧化层上设有若干与有源区块对应的金属电极对；闪烁晶体上开有网格状的光隔离槽，闪烁晶体底部设有与网格状光隔离槽对应的网格状消光层。本发明的双结深光电管阵列具有低漏电流和高的动态范围，提高了传感器对微弱荧光信号的探测能力；闪烁晶体通过空气隙光隔离槽和网格状消光层分割形成的像素单元减少了相邻光电管之间的荧光串扰现象，增加了相邻传感单元之间的光隔离度。同时本发明还公开了上述X射线传感器的制作方法。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210363594.3 【申请日】2012-09-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102881702B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102881702B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L27/146; H01L31/0232; G21K4/00 【发明人】许超群; 孙颖; 朱大中; 韩雁 【主权项内容】一种阵列式X射线传感器，其特征在于：包括光电管阵列和设于光电管阵列上的闪烁晶体；所述的光电管阵列包括P+衬底，所述的P+衬底上铺设有P-外延层，所述的P-外延层上嵌设有若干阵列排布的有源区块；所述的有源区块包括嵌设于P-外延层上的N阱和第一P+有源区，所述的N阱上嵌设有第二P+有源区；所述的P-外延层上铺设有氧化层，所述的氧化层中开有若干接触通孔，氧化层上设有若干与有源区块对应的金属电极对；所述的金属电极对包括第一金属电极和第二金属电极，其中，第一金属电极通过接触通孔与第一P+有源区和第二P+有源区连接，第二金属电极通过接触通孔与N阱连接；所述的闪烁晶体通过折射率为1.6的粘合剂粘合于氧化层上，闪烁晶体上开有网格状的光隔离槽，闪烁晶体底部设有与网格状光隔离槽对应的网格状消光层；所述的闪烁晶体被网格状光隔离槽分割成若干阵列排布的像素单元，所述的像素单元与有源区块一一对应。。： 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3

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