【摘要】 本发明公开了一种在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法，将经过清洗的玻璃基片放入气相沉积反应室；先驱体有机锡源和有机氟源用氮气作载气，催化剂H2O用空气做载气，分别在鼓泡器中气化后通入混气室；将得到的混合反应气通入镀膜反应器中输送到玻璃基板上，控制镀膜反应器喷气口与玻璃表面的距离为2～5毫米，有机气源中Sn : F质量比例为2 : 1-3 : 1，在玻璃基片表面沉积5-30s，冷却即可。本发明制备工艺简单，使用设备简单，对环境无污染，成本低廉，效率高，耗能低，适合浮法在线生产大面积透明导电膜；制得的呈微纳结构的氧化锡掺氟薄膜，具有更好的可见光透过率，中远红外反射率。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210075384.4 【申请日】2012-03-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102603207B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102603207B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C03C17/245 【发明人】韩高荣; 高倩; 汪建勋; 李铭; 宋晨路; 刘涌; 沈鸽 【主权项内容】在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法，其特征是包括以下步骤：1)将经过清洗的玻璃基片放入气相沉积反应室，常压下，将反应室加热至500～650℃；2)先驱体有机锡源和有机氟源用氮气作载气，催化剂H2O用空气做载气，分别在鼓泡器中气化后通入混气室，得到混合反应气；3)将上述混合反应气通入镀膜反应器中输送到气相沉积反应室的玻璃基板上，控制镀膜反应器喷气口与玻璃表面的距离为2～5毫米，有机气源中Sn : F质量比例为2 : 1-3 : 1，气体总量4L/min-5L/min，在500-650℃的温度条件下在玻璃基片表面进行沉积，沉积5-30s后，停止通入气体，冷却即可。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10

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