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IGBT串联型高压脉冲发生器专利

时间:2026-10-09    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种IGBT串联型高压脉冲发生器。该高压脉冲发生器由高压电源提供电压,经储能电容储能后通过多级IGBT串联电路产生高压脉冲。PLC产生PWM控制脉冲,经PWM放大电路后输入光纤隔离电路,进而驱动IGBT串联电路,IGBT串联电路工作所需的电源由与其相连的隔离电源次级电路提供。市电经整流电路、滤波电路后变成直流电,再由经功率MOSFET驱动电路所驱动的高频功率MOSFET全桥逆变电路变成高频方波,高频方波经串联磁环电路隔离后输入隔离电源次级电路。当IGBT串联电路出现故障时,故障信号经故障输出电路、光纤反馈电路后输入PLC,PLC即中断控制信号,使IGBT串联电路处于关断状态,进而保护整个系统。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210070008.6 【申请日】2012-03-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102611413B 【公开公告日】2014-08-20 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102611413B 【授权公告日】2014-08-20 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03K3/013; H03K3/02 【发明人】王剑平; 余琳; 黄康; 江婷婷; 王海军; 盖玲 【主权项内容】一种IGBT串联型高压脉冲发生器,其特征在于:包括高压电源、储能电容、PLC、整流电路(1)、滤波电路(2)、高频功率MOSFET全桥逆变电路(3)、功率MOSFET驱动电路(4)、串联磁环隔离电路(5)、16路相互独立的隔离电源次级电路(6)、16路相互串联的IGBT串联电路(7)、光纤隔离电路(8)、PWM放大电路(9)、16路相互独立的故障输出电路(10)和光纤反馈电路(11);高压电源提供的电压,经储能电容储能后通过16路相互串联的IGBT串联电路(7)产生高压脉冲;PLC产生PWM控制脉冲,依次接PWM放大电路(9)、光纤隔离电路(8)、16路相互串联的IGBT串联电路(7);市电经整流电路(1)、滤波电路(2)后变成直流电,再依次接高频功率MOSFET全桥逆变电路(3)、串联磁环隔离电路(5)、16路相互独立的隔离电源次级电路(6)、16路相互串联的IGBT串联电路(7);功率MOSFET驱动电路(4)与高频功率MOSFET全桥逆变电路(3)相连;16路相互串联的IGBT串联电路(7)输出的故障信号依次由16路相互独立的故障输出电路(10)、光纤反馈电路(11)输入PLC。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【家族被引证次数】19

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