【摘要】本发明提供了一种有关物质极低,同时崩解迅速的甲钴胺片。一种甲钴胺片,由甲钴胺粉末与包衣填充剂混合后在避光条件下用欧巴代包衣制成甲钴胺包衣颗粒,再添加药学上可接受的片剂辅料经压片制得所述的甲钴胺片。本发明中针对对光极其敏感的甲钴胺的工
【摘要】 本发明公开了一种IGBT串联型高压脉冲发生器。该高压脉冲发生器由高压电源提供电压,经储能电容储能后通过多级IGBT串联电路产生高压脉冲。PLC产生PWM控制脉冲,经PWM放大电路后输入光纤隔离电路,进而驱动IGBT串联电路,IGBT串联电路工作所需的电源由与其相连的隔离电源次级电路提供。市电经整流电路、滤波电路后变成直流电,再由经功率MOSFET驱动电路所驱动的高频功率MOSFET全桥逆变电路变成高频方波,高频方波经串联磁环电路隔离后输入隔离电源次级电路。当IGBT串联电路出现故障时,故障信号经故障输出电路、光纤反馈电路后输入PLC,PLC即中断控制信号,使IGBT串联电路处于关断状态,进而保护整个系统。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210070008.6 【申请日】2012-03-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102611413B 【公开公告日】2014-08-20 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102611413B 【授权公告日】2014-08-20 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03K3/013; H03K3/02 【发明人】王剑平; 余琳; 黄康; 江婷婷; 王海军; 盖玲 【主权项内容】一种IGBT串联型高压脉冲发生器,其特征在于:包括高压电源、储能电容、PLC、整流电路(1)、滤波电路(2)、高频功率MOSFET全桥逆变电路(3)、功率MOSFET驱动电路(4)、串联磁环隔离电路(5)、16路相互独立的隔离电源次级电路(6)、16路相互串联的IGBT串联电路(7)、光纤隔离电路(8)、PWM放大电路(9)、16路相互独立的故障输出电路(10)和光纤反馈电路(11);高压电源提供的电压,经储能电容储能后通过16路相互串联的IGBT串联电路(7)产生高压脉冲;PLC产生PWM控制脉冲,依次接PWM放大电路(9)、光纤隔离电路(8)、16路相互串联的IGBT串联电路(7);市电经整流电路(1)、滤波电路(2)后变成直流电,再依次接高频功率MOSFET全桥逆变电路(3)、串联磁环隔离电路(5)、16路相互独立的隔离电源次级电路(6)、16路相互串联的IGBT串联电路(7);功率MOSFET驱动电路(4)与高频功率MOSFET全桥逆变电路(3)相连;16路相互串联的IGBT串联电路(7)输出的故障信号依次由16路相互独立的故障输出电路(10)、光纤反馈电路(11)输入PLC。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【家族被引证次数】19
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