【摘要】 。本发明公开了一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法，该电致发光器件包括P型硅衬底，所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层，P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极；所述的发光层为CdZnO薄膜。本发明采用P型硅片为衬底，以CdZnO薄膜为主要发光材料，结合绝缘层、电极层等，通过合适的工艺制备获得了CdZnO/绝缘层/p+-Si结构的电致发光器件。本发明方法工艺简单，制备周期短，对设备要求不高，与现行成熟的硅器件工艺兼容；所制得的电致发光器件结构简单，开启电压低，在一定的正向偏压下能够实现在可见区的电致发光，且发光效率高。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210094513.4 【申请日】2012-04-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102610724B 【公开公告日】2014-12-17 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102610724B 【授权公告日】2014-12-17 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/28; H01L33/00 【发明人】马向阳; 田野; 杨德仁 【主权项内容】一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件，包括P型硅衬底，其特征在于，所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层，P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极；所述的发光层为CdZnO薄膜；所述电致发光器件通过如下方法制备，包括：(1)采用溅射法在P型硅衬底上沉积绝缘层；(2)采用溅射法在绝缘层上沉积CdZnO薄膜，再在惰性气体气氛下进行快速热处理；(3)采用溅射法在CdZnO薄膜上沉积电极层，在P型硅衬底背面沉积欧姆接触电极。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】4.0 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2

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