【摘要】 本发明公开了一种射频供能便携式设备的电源管理模块，包括向负载电路提供电能宽频率范围的多频带射频电能接收电路，接收电路包括：高频接收电路，超高频接收电路，微波接收电路；电源管理模块中还包括模式选择器，模式选择器的三个输入端分别连接高频接收电路、超高频接收电路、微波接收电路的输出端，模式选择器的输出端与负载电路连接，用于择一的将高频无线信号电能、超高频无线信号电能或微波无线信号电能传送到负载电路。本发明能使便携式电子设备具备宽频率范围的多频带射频电能接收能力，其电源管理模块能自己优选出最佳的电能接收模式来给所带负载供电，减小了选择通路上的电压损耗，并实现了优化的供电效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】邹磊 【申请人类型】个人 【申请人地址】310030 浙江省杭州市西湖区白马尊邸东4幢2单元502室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210066133.X 【申请日】2012-03-14 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102611207B 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102611207B 【授权公告日】2014-01-01 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H02J17/00; H02J50/20 【发明人】邹磊 【主权项内容】一种射频供能便携式设备的电源管理模块，包括向负载电路提供电能的宽频率范围的多频带射频电能接收电路，其特征是，所述的接收电路包括：高频接收电路，用于接收高频无线信号电能，所述的高频接收电路包括：线圈电感，与所述的线圈电感连接的整流器，所述整流器的正端作为输出端；超高频接收电路，用于接收超高频无线信号电能，所述的超高频接收电路包括：第一天线，与所述第一天线相连的第一倍压整流器，所述第一倍压整流器的正端作为输出端；微波接收电路，用于接收微波无线信号电能，所述的微波接收电路包括：第二天线，与所述第二天线相连的第二倍压整流器，所述第二倍压整流器的正端作为输出端；所述的电源管理模块中还包括模式选择器，所述的模式选择器的三个输入端分别连接所述的高频接收电路、超高频接收电路、微波接收电路的输出端，所述模式选择器的输出端与负载电路连接，用于择一的将所述的高频无线信号电能、超高频无线信号电能或微波无线信号电能传送到负载电路，所述的模式选择器包括：第一可控电路，其输入端连接所述的整流器的输出端；第二可控电路，其输入端连接所述的第一倍压整流器的输出端；第三可控电路，其输入端连接所述的第二倍压整流器的输出端；第一传感电阻，其一端连接所述的第一可控电路的输出端，其另一端连接所述的负载电路；第二传感电阻，其一端连接所述的第二可控电路的输出端，其另一端连接所述的负载电路；第三传感电组，其一端连接所述的第三可控电路的输出端，其另一端连接所述的负载电路；控制单元，其三个输入端分别连接所述的第一可控电路、第二可控电路、第三可控电路的输出端，其三个输出端分别连接所述的第一可控电路、第二可控电路、第三可控电路的控制端；其中，所述的第一可控电路，第二可控电路，第三可控电路均由第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管组成，所述的第一 PMOS晶体管的源极作为该可控电路的输入端，栅极接第二PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极，漏极连接第二PMOS晶体管的源极，并作为该可控电路的输出端，所述的第一NMOS晶体管的栅极连接第二PMOS晶体管的栅极并作为该可控电路的控制端，所述的第一NMOS晶体管的源极接地。 【当前权利人】无锡芯明圆微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区标准写字楼A3-4楼 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】12

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