【摘要】本发明提供了一种MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构,该方法包括:步骤S11,提供MEMS封帽硅衬底;步骤S12,在MEMS封帽硅衬底上形成相叠的n层掩膜层,在形成每一层掩膜层之后对该掩膜层及其下方的其他全部掩膜层进行光
【摘要】 本发明属于污水处理技术领域,尤其是涉及一种溶气气浮机。它解决了现有气浮机释放效果差、释放出的气泡不均匀等问题。本溶气气浮机,包括静态混合器,在静态混合器的入口端连接有原水进水装置、混凝剂添加装置、空气进入装置和絮凝剂添加装置,静态混合器的出口端设有溶气释放器,溶气释放器设置在气浮池内,气浮池上连接有回流装置,溶气释放器的上方设有刮泥装置,溶气释放器包括壳体,在壳体的上部和下部分别设有进口和出口,在进口上连接有与静态混合器相连的溶气水导入管,在壳体内设有能够促使气水分离的搅拌机构,所述的出口处设有导流机构。本发明具有释放效果好,设备成本低,便于检修清洗,提高工作效率等优点。。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州太一科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310052 浙江省杭州市滨江区南环路4028号3号楼C座301室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】滨江区 【申请号】CN201210520715.0 【申请日】2012-12-03 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102951714B 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102951714B 【授权公告日】2014-04-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C02F1/52; C02F1/24 【发明人】吴家安 【主权项内容】一种溶气气浮机,包括静态混合器(1),在静态混合器(1)的入口端连接有原水进水装置(2)、混凝剂添加装置(3)、空气进入装置(4)和絮凝剂添加装置(5),在静态混合器(1)的出口端设有溶气释放器(6),所述的溶气释放器(6)设置在气浮池(10)内,在气浮池(10)上连接有回流装置(8),在溶气释放器(6)的上方设有刮泥装置(9),其特征在于,所述的溶气释放器(6)包括壳体(61),在壳体(61)的上部和下部分别设有进口(62)和出口(63),在进口(62)上连接有与静态混合器(1)相连的溶气水导入管(63),在壳体(61)内设有能够促使气水分离的搅拌机构(64),所述的出口(63)处设有导流机构(65)。 【当前权利人】杭州太一科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市滨江区南环路4028号4号楼A座201室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913301085526971336 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】5
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