【摘要】 本发明提供了一种MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构，该方法包括：步骤S11，提供MEMS封帽硅衬底；步骤S12，在MEMS封帽硅衬底上形成相叠的n层掩膜层，在形成每一层掩膜层之后对该掩膜层及其下方的其他全部掩膜层进行光刻和刻蚀以形成多个不同的刻蚀窗口；步骤S13，以当前最上层的掩膜层及其下层掩膜材料为掩膜，对MEMS封帽硅衬底进行刻蚀；步骤S14，去除当前最上层的掩膜层；步骤S15，重复步骤S13和S14，直至掩膜层被全部去除。本发明能够用半导体常规工艺，在MEMS封帽硅片上形成多个具有高深宽比的深槽，避免无法用光刻胶在有深槽的封帽硅片上常规匀胶的问题，且具有良好的工业实用性。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州士兰集成电路有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310018 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210096370.0 【申请日】2012-04-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102602881B 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102602881B 【授权公告日】2014-04-09 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】B81C1/00; B81B7/00 【发明人】闻永祥; 刘琛; 季峰; 李立文 【主权项内容】一种MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法，其特征在于，包括：步骤S11，提供MEMS封帽硅衬底；步骤S12，在所述MEMS封帽硅衬底上依次形成相叠的n层掩膜层，所述n为大于等于3的正整数，在形成每一层掩膜层之后对该掩膜层及其下方的其他全部掩膜层进行光刻和刻蚀以在该掩膜层及其下方的其他全部掩膜层形成多个不同的刻蚀窗口，其中相邻两层掩膜层具有不同的材料；步骤S13，以所述n层掩膜层中当前最上层的掩膜层为掩膜，对所述MEMS封帽硅衬底进行刻蚀，所述刻蚀对所述MEMS封帽硅衬底和当前最上层的掩膜层的刻蚀选择比大于等于10：1；步骤S14，去除所述当前最上层的掩膜层；步骤S15，重复所述步骤S13和S14，直至所述n层掩膜层被全部去除。 【当前权利人】杭州士兰集成电路有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】913301017265863549 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】13.0 【家族被引证次数】17

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