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一种具有底部隔离电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法专利

时间:2026-10-09    作者:admin 点击: ( 5 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种具有底部隔离电荷补偿结构半导体晶片,在半导体漂移层中引入条状多晶半导体材料,通过多晶半导体材料表面通过绝缘材料层进行隔离,简化了电荷补偿结构半导体晶片的制作难度,本发明的半导体晶片可应用制造功率MOS半导体器件;本发明还提供了一种具有电荷补偿结构半导体晶片的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210298538.6 【申请日】2012-08-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103633137A 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336 【发明人】朱江 【主权项内容】一种具有底部隔离电荷补偿结构半导体晶片,其特征在于:包括:衬底层,为半导体材料;漂移层,为第一导电类型半导体材料,位于衬底层之上;多个沟槽,位于漂移层中,沟槽内下部内壁表面设置有绝缘材料层,沟槽内下部填充多晶第二导电类型半导体材料,沟槽内上部填充第二导电类型半导体材料。 【当前权利人】朱江 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1

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