【摘要】 本发明公开了一种半导体制冷的吸附式装置。本发明包括制冷机构和待降温密室，制冷机构包括半导体制冷片、第一密封圈、密封塞、连接线、圆环；半导体制冷片有镶嵌结构，第一密封圈的部分镶嵌在半导体制冷片上；圆环通过焊接固定在半导体制冷片侧面，并通过连接线与密封塞连接；第一密封圈上开有一个通气孔，密封塞插入通气孔内，并与第一密封圈紧密配合；待降温密室包括光滑平板、空腔、绝热层；空腔是绝热层与光滑平板共同包围形成的；空腔通过光滑平板与外界产生热交换。本发明半导体制冷片不必与待制冷平面紧密贴合，降低了贴合技术的操作难度，且吸气、进气方便，吸附力可控性强。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210368494.X 【申请日】2012-09-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102901265B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102901265B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】F25B21/02 【发明人】刘光宇; 邹洪波; 沈国强; 许辉; 李兵 【主权项内容】一种半导体制冷的吸附式装置，包括制冷机构和待降温密室，具体包括半导体制冷片、空气腔、第一密封圈、光滑平板、空腔、绝热层、密封塞、连接线、圆环；其特征在于：制冷机构包括半导体制冷片、第一密封圈、密封塞、连接线、圆环；半导体制冷片有镶嵌结构，第一密封圈的部分镶嵌在半导体制冷片上, 第一密封圈的下部分设置在待降温密室的光滑平板上的，制冷机构和待降温密室是通过第一密封圈相连接；圆环通过焊接固定在半导体制冷片侧面，并通过连接线与密封塞连接；第一密封圈上开有一个通气孔，密封塞插入通气孔内，并与第一密封圈紧密配合；待降温密室包括光滑平板、空腔、绝热层；空腔是绝热层与光滑平板共同包围形成的；空腔通过光滑平板与外界产生热交换；所述的绝热层的横截面为U型；所述的半导体制冷片由多层结构组成，具体包括散热片、第一导热板、第一电绝缘导热层、第一连接片、P型半导体、N型半导体、第二连接片、第二电绝缘导热层、第二导热板；电流源通过导线为半导体制冷片提供电力；多个散热片固定在第一导热板上，与第一导热板充分接触；第一电绝缘导热层的上下表面分别与第一导热板的下表面和第一连接片的上表面相连接并充分接触，第一连接片下表面分别与P型半导体、N型半导体的一端相连接，P型半导体、N型半导体是串联电路，第二连接片分别与P型半导体、N型半导体的另一端相连接，第二电绝缘导热层的上下表面分别与第二连接片的下表面和第二导热板的上表面连接并充分接触，第二导热板布置在最底层。 【当前权利人】杭州电子科技大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙高教园区 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12330000470009026T 【家族被引证次数】7

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