【摘要】 本发明提供一种采用Bipolar低压工艺实现的器件及其制造方法，通过在耐高压器件区域中形成轻掺杂区，轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度，避免了器件在高压工作中大量电荷聚集于上隔离区顶角位置，防止电荷聚集引起的击穿问题。耐高压器件区域的氮化硅层与钝化层结合，能够有效防止可动离子进入高压器件结构中的强电场区而造成污染，保证此高压器件的高温高压可靠性，通过在所述低压器件区域的外延层表面和所述耐高压器件区域中下隔离区外围的外延层表面形成轻掺杂层，缩小了低压器件区域中下隔离区与低压器件区域的集电区和基区的水平距离，提高集成度。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州士兰集成电路有限公司; 杭州士兰微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310018 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210127059.8 【申请日】2012-04-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102637725B 【公开公告日】2014-07-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102637725B 【授权公告日】2014-07-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/06; H01L23/50; H01L27/082; H01L21/28; H01L21/8222 【发明人】李小锋; 韩健; 张佼佼; 王铎 【主权项内容】一种采用Bipolar低压工艺实现的器件，所述采用Bipolar低压工艺实现的器件包括低压器件区域和耐高压器件区域，其特征在于：所述低压器件区域和耐高压器件区域均包括：半导体衬底和位于其上的外延层；埋层和下隔离区，所述埋层和下隔离区位于所述半导体衬底和外延层相接处；上隔离区，所述上隔离区位于所述下隔离区上的外延层中，所述上隔离区与所述下隔离区相连；集电区、基区和发射区，所述集电区、基区和发射区位于所述外延层中，所述发射区位于所述基区中，所述集电区与所述埋层相连；表面轻掺杂层，所述表面轻掺杂层位于所述低压器件区域的外延层表面和所述耐高压器件区域中下隔离区外围的外延层表面；所述耐高压器件区域还包括有轻掺杂区，所述轻掺杂区位于上隔离区的上方的外延层中，所述轻掺杂区与上隔离区相连并向所述基区方向延伸，所述轻掺杂区的宽度大于上隔离区的宽度，所述轻掺杂区的表面浓度小于上隔离区的表面浓度。 ： 【当前权利人】杭州士兰集成电路有限公司; 杭州士兰微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号; 浙江省杭州市黄姑山路4号 【专利权人类型】其他有限责任公司; 其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】913301017265863549; 91330000253933976Q 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】8

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