【摘要】本发明提供了一种疏绵状嗜热丝孢菌脂肪酶突变体、编码序列及其应用。所述一种疏绵状嗜热丝孢菌脂肪酶突变体,由序列如SEQ ID No.1的肽段经点突变获得,所述的点突变为下列之一或其中两种以上:(1)第88位的S突变为T;(2)第99位
【摘要】 本发明公开了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管,本发明的绝缘栅双极晶体管将器件背面部分区域设置为P+发射区,通过器件导通时电流自动调节P+发射区的开启导通,调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率,提高器件的高频特性应用范围。本发明还提供了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210320231.1 【申请日】2012-09-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681811A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06; H01L21/331 【发明人】朱江 【主权项内容】该数据由<>整理 一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管,其特征在于:包括:N型基区,由N+缓冲层和N-基区叠加组成;P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质,位于N型基区上方;背P+发射区,位于N型基区下方部分区域,同时器件背面N+缓冲层表面为欧姆接触区或肖特基势垒结。 【当前权利人】朱江 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【引证次数】5.0 【被引证次数】7 【他引次数】5.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】7
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