【摘要】 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Zeta变换器包括由输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、电感L1、电容C、二极管D、二极管D1、电感L2和电容Co组成的Zeta变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、NPN型BJT管Q2和PNP型BJT管Q3组成。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】临安区 【申请号】CN201210154791.4 【申请日】2012-05-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102820780B 【公开公告日】2014-11-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102820780B 【授权公告日】2014-11-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H02M3/155; H05B37/02 【发明人】陈怡; 王正仕; 陈晋音; 南余荣 【主权项内容】一种主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Zeta变换器，包括由输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、电感L1、电容C、二极管D、二极管D1、电感L2和输出电容Co组成的Zeta变换器的主回路，输入电容Ci与直流电压源Vi并联，输出电容Co两端电压为直流输出电压Vo，负载Ro与输出电容Co并联，直流电压源Vi的正端与PNP型BJT管Q1的发射极相连，PNP型BJT管Q1的集电极与电感L1的一端以及电容C的一端相连，电感L1的另一端与直流电压源Vi的负端、输出电压Vo的负端以及二极管D的阳极相连，电容C的另一端与二极管D的阴极以及二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极与电感L2的一端相连，电感L2的另一端与输出电压Vo的正端相连，其特征在于：所述自激式Zeta变换器还包括PNP型BJT管Q1的驱动单元，所述PNP型BJT管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、NPN型BJT管Q2和PNP型BJT管Q3组成，所述NPN型BJT管Q2的集电极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与PNP型BJT管Q1的基极相连，NPN型BJT管Q2的发射极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与直流电压源Vi的负端相连，NPN型BJT管Q2的基极与电阻R3的一端以及PNP型BJT管Q3的发射极相连，电阻R3的另一端与PNP型BJT管Q1的发射极相连，PNP型BJT管Q3的基极与PNP型BJT管Q3的集电极以及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与PNP型BJT管Q1的集电极相连；所述主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Zeta变换器在电感电流iL1临界连续、电感电流iL2断续工作模式下，PNP型BJT管Q1导通后，直流电压源Vi、PNP型BJT管Q1和电感L1形成回路，直流电压源Vi、PNP型BJT管Q1、电容C、二极管D1、电感L2、输出电容Co和负载Ro形成另一回路，电感L1和电感L2充电，电感电流iL1和电感电流iL2增加，PNP型BJT管Q1的集电极电流ic1以及PNP型BJT管Q1的发射极-集电极电压vec1也增加，PNP型BJT管Q1的集电极电压vc1跌落；当PNP型BJT管Q1的集电极电压vc1跌落到一定值时，PNP型BJT管Q3导通，NPN型BJT管Q2关断，PNP型BJT管Q1关断；PNP型BJT管Q1关断后，二极管D导通，电感L1、二极管D和电容C形成回路，二极管D1、电感L2、输出电容Co、负载Ro和二极管D形成另一回路，电感L1和电感L2放电，当电感电流iL2减小到0时，二极管D1关断，当电感电流iL1减小到0时，二极管D关断，二极管D关断后，NPN型BJT管Q2和PNP型BJT管Q1导通，PNP型BJT管Q3关断。 【当前权利人】天津科迪特科技有限责任公司 【当前专利权人地址】天津市河西区怒江道8号319室 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1233000047000441XK 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7

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