【摘要】 本发明公开了一种以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法。采用可膨胀石墨为碳源，硅粉和二氧化硅粉为硅源；或采用正硅酸乙酯为硅源，将正硅酸乙酯溶解于无水乙醇中，加入草酸以加速正硅酸乙酯水解再干爆燥后；将碳源和硅源混合并研磨均匀置于石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内，抽真空并充入保护气体；升温到1300～1800℃，保温烧结2～8h，整个制备过程中炉内压强低于1MPa；随炉自然冷却至常温，开炉即得SiC纳米线。本发明原料廉价、工艺简单、无污染环境的有害气体、不需任何催化剂，拥有大规模高产率制备的特点，适合SiC纳米线的工业化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310018 浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210231393.8 【申请日】2012-07-05 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102730687B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102730687B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C01B31/36; B82Y30/00; C01B32/97; C01B32/984 【发明人】陈建军; 张炬栋; 王明明 【主权项内容】一种以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法，其特征在于：采用可膨胀石墨为碳源，硅粉和二氧化硅粉为硅源，将碳源和硅源混合并研磨均匀置于石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内，抽真空并充入保护气体；升温到1300～1800℃，保温烧结2～8h，整个制备过程中炉内压强低于1MPa；随炉自然冷却至常温，开炉即得SiC纳米线；所述的硅源和碳源的原料质量分数百分比：可膨胀石墨占总质量的比例为5.2%~57.7%、硅粉占总质量的比例为质量分数百分比为13.5%~30.2%，二氧化硅粉占总质量的比例为质量分数百分比为28.8%~64.6%的混合物；所述的硅粉和二氧化硅粉为硅源制备的SiC纳米线为单晶β-SiC纳米线，直径为10~100nm，宏观表现为墨绿色粉末。 【当前权利人】浙江理工大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12330000470009034M 【引证次数】5.0 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】28

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