【摘要】一种基于6LoWPAN的无线传感器网络节能数据传递方法,通过在信源和信宿之间寻找一个最优的临时拼装节点TAN,信源先把IPv6数据包分片再将分片逐一通过6LoWPAN协议的MUR路由即Mesh-under Routing方法将数据包
【摘要】 本发明公开了一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管,传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面,本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为多晶P+发射区,以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率,提高器件高频特性的应用范围。本发明还提供了一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210328177.5 【申请日】2012-09-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681814A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/08; H01L21/331 【发明人】朱江 【主权项内容】一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管,其特征在于:包括:N型基区,由N-基区组成;P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质,位于N型基区上方;背沟槽多晶P+发射区,为多个沟槽结构,位于N型基区下方,P型多晶半导体材料临靠沟槽内壁,N+缓冲层临靠P型多晶半导体材料,N+缓冲层位于P型多晶半导体材料与N型基区之间,同时背沟槽内填充电极金属。 微信 【当前权利人】朱江 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4
未经允许不得转载:http://www.zhongzhencnc.com/1791475011.html






