【摘要】本发明适用于通信领域，提供了一种放音测试方法及放音平台，所述方法包括下述步骤：接收测试端的放音测试呼叫；从被叫号码中提取出指定板卡的模块标识、板卡标识和铃音标识，并根据所述指定板卡的模块标识和板卡标识申请对应的板卡资源；根据所述板卡
【摘要】 本发明公开了一种电荷补偿MOS半导体装置，本发明的半导体装置接一定的反向偏压时，漂移层中第一传导类型的半导体材料和沟槽内下部掺氧多晶半导体材料形成电荷补偿结构，提高器件的反向击穿电压，改善了传统半导体器件导通电阻与反向阻断特性之间的矛盾。本发明还提供了一种电荷补偿MOS半导体装置的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙3号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210294747.3 【申请日】2012-08-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103594514A 【公开公告日】2014-02-19 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336 【发明人】朱江 【主权项内容】一种电荷补偿MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层表面，沟槽内下部设置有掺氧多晶半导体材料；体区，为第二传导类型的半导体材料，位于沟槽间漂移层上部；源区，为第一传导类型的半导体材料，位于体区内上部临靠沟槽和器件表面；栅极介质，为多晶半导体材料或金属，位于沟槽内上部，栅极介质与体区和源区间通过绝缘材料层进行隔离。 【当前权利人】朱江 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙3号大街裕园公寓1号603室 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】1
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