【摘要】一种干涉电泳离子导入仪,包括电源电路、显控电路、数字电路、驱动电路和输出电极,显控电路的电源控制信号输出输入端与电源电路的控制信号输入输出端相连,显控电路的驱动控制信号输出端与数字电路的控制信号输入端相接,输出电极为四个,与驱动电路
【摘要】 本发明涉及一种制作太阳能电池片的工艺,它包括:清洗、制融、扩散、去磷硅玻璃、镀膜、印刷和烧结;其特征在于:所述的扩散工艺是指将晶硅基片在温度为800-900℃,氧气流量为900-1100L/min,大氮流量1750-1800L/min,小氮流量为1750-1800L/min的情况下与氧气和三氯氧磷反应上形成PN结;所述的去磷硅玻璃工序和镀膜工序之间还有碱清洗工序,所述的碱清洗工序包括以下步骤:(1)碱洗,用碱溶液与硅片表面反应;(2)水洗,用水冲洗硅片表面的碱溶液;(3)中和,再用弱酸中和表面残留的碱;(4)水洗,水洗硅片表面残留的弱酸;(5)脱水干燥,将经过上述步骤的硅片脱水干燥。 【专利类型】发明申请 【申请人】东方日升新能源股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315609 浙江省宁波市宁海县梅林街道塔山工业区 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】宁海县 【申请号】CN201210511495.5 【申请日】2012-12-04 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103855243A 【公开公告日】2014-06-11 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103855243B 【授权公告日】2016-04-20 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】林海峰; 高慧慧; 曾学仁; 唐坤友; 陈国标 【主权项内容】1.一种制作太阳能电池片的工艺,它包括:清洗、制融、扩散、去磷硅玻璃、镀膜、印刷和烧结;其特征在于:所述的扩散工艺是指将晶硅基片在温度为800-900℃,氧气流量为900-1100L/min,大氮流量1750-1800 L/min,小氮流量为1750-1800 L/min的情况下与氧气和三氯氧磷反映上形成PN结;所述的去磷硅玻璃工序和镀膜工序之间还有碱清洗工序,所述的碱清洗工序包括以下步骤:(1)碱洗,用碱溶液与硅片表面反应;(2)水洗,用水冲洗硅片表面的碱溶液;(3)中和,再用弱酸中和表面残留的碱;(4)水洗,水洗硅片表面残留的弱酸;(5)脱水干燥,将经过上述步骤的硅片脱水干燥。 【当前权利人】东方日升(常州)新能源有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市金坛区直溪镇工业集中区水南路1号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】913302001449739014 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
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