【摘要】 本发明提供一种钽靶材及钽靶材组件的制造方法，钽靶材的制作方法包括：提供钽锭；对所述钽锭进行热锻，形成第一钽靶材坯料；对所述第一钽靶材坯料进行第一热处理，形成第二钽靶材坯料，所述第一热处理的温度为1000℃～1200℃，保温时间为30分钟～90分钟；第一热处理后，对第二钽靶材坯料进行热轧，形成第三钽靶材坯料；对所述第三钽靶材坯料进行第二热处理，形成钽靶材，所述第二热处理的温度为1000℃～1200℃，保温时间为30分钟～90分钟。采用本发明技术方案制造的钽靶材内部组织比较均匀，磁性能好，且采用所述钽靶材制造半导体用钽靶材组件，形成的薄膜的质量较好。 【专利类型】发明申请 【申请人】宁波江丰电子材料有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】余姚市 【申请号】CN201210271935.4 【申请日】2012-08-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103572225A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103572225B 【授权公告日】2016-05-04 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】C23C14/34; C22F1/18 【发明人】姚力军; 相原俊夫; 大岩一彦; 潘杰; 王学泽; 陈勇军 【主权项内容】一种钽靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供钽锭；对所述钽锭进行热锻，形成第一钽靶材坯料；对所述第一钽靶材坯料进行第一热处理，形成第二钽靶材坯料，所述第一热处理的温度为1000℃～1200℃，保温时间为30分钟～90分钟；第一热处理后，对所述第二钽靶材坯料进行热轧，形成第三钽靶材坯料；对所述第三钽靶材坯料进行第二热处理，形成钽靶材，所述第二热处理的温度为1000℃～1200℃，保温时间为30分钟～90分钟。 【当前权利人】宁波江丰电子材料股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路 【引证次数】5.0 【被引证次数】19 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】19.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】21

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