【摘要】 本发明提供一种钽靶材及钽靶材组件的制造方法。钽靶材的制造方法包括：提供钽锭；对所述钽锭进行锻造，形成第一钽靶材坯料；对所述第一钽靶材坯料进行轧制，形成第二钽靶材坯料；对所述第二钽靶材坯料进行第一热处理，形成钽靶材，所述第一热处理分为三阶段，第一阶段热处理温度为550℃～750℃，保温时间为30分钟～90分钟；第二阶段热处理温度为750℃～950℃，保温时间为30分钟～90分钟；第三阶段热处理温度为950℃～1200℃，第三阶段热处理保温时间为30分钟～90分钟。采用本发明技术方案可以得到的钽靶材的晶向主要为(100)，而且在断面上晶向均匀，另外，还可以得到晶粒细小且内部组织均匀钽靶材。 【专利类型】发明申请 【申请人】宁波江丰电子材料有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】余姚市 【申请号】CN201210271505.2 【申请日】2012-08-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103572223A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103572223B 【授权公告日】2016-01-27 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】C23C14/34; C23C14/14; C22F1/18; C21D8/00 【发明人】姚力军; 相原俊夫; 大岩一彦; 潘杰; 王学泽; 陈勇军 【主权项内容】一种钽靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供钽锭；对所述钽锭进行锻造，形成第一钽靶材坯料；对所述第一钽靶材坯料进行轧制，形成第二钽靶材坯料；对所述第二钽靶材坯料进行第一热处理，形成钽靶材，所述第一热处理分为三阶段：第一阶段热处理温度为550℃～750℃，第一阶段热处理保温时间为30分钟～90分钟；第一阶段热处理保温结束后升温至第二阶段热处理温度，所述第二阶段热处理温度为750℃～950℃，第二阶段热处理保温时间为30分钟～90分钟；第二阶段热处理保温结束后升温至第三阶段热处理温度，所述第三阶段热处理温度为950℃～1200℃，第三阶段热处理保温时间为30分钟～90分钟。。该数据由<>整理 【当前权利人】宁波江丰电子材料股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路 【引证次数】6.0 【被引证次数】22 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【被他引次数】22.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】22

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