【摘要】 本发明公开了一种互补型自举式反相器电路。该电路包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和反相器。本发明的有益效果是：在负载较大时也能控制该反相器的自发热，使得可以输出稳定。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210340975.X 【申请日】2012-09-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103684418A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H03K19/094 【发明人】吴勇; 余力; 王纪云 【主权项内容】一种互补型自举式反相器电路，其特征在于，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和反相器；所述第一PMOS管(P1)的源极接第一控制信号输入端(CLK1)，漏极与第一NMOS管(N1)的漏极、第三PMOS管(P3)的源极、第二PMOS管(P2)的栅极和第三NMOS管(N3)的漏极连接，栅极与第四PMOS管(P4)的源极、第六NMOS管(N6)的漏极、第二PMOS管(P2)的漏极、第四NMOS管(N4)的漏极连接；第二PMOS管(P2)的源极连接第一控制信号输入端(CLK1)；反相器的输入端连接第一控制信号输入端(CLK1)，负极端与第三PMOS管(P3)的栅极、第四PMOS管(P4)的栅极连接；第三PMOS管(P3)的漏极与第一NMOS管(N1)的源极、第二NMOS管(N2)的栅极连接；第四PMOS管(P4)的漏极与第五NMOS管(N5)的栅极、第六NMOS管的源极连接；第一NMOS管的栅极连接第一控制信号输入端(CLK1)；第二NMOS管(N2)的漏极连接第二控制信号输入端(CLK2)，源极通过第一电容(C1)接地；第三NMOS管(N3)的源极接地，栅极连接第一输入端(IN1)；第四NMOS管(N4)的源极接地，栅极连接第二输入端(IN2)；第五NMOS管(N5)的漏极连接第二控制信号输入端(CLK2)，源极通过第二电容(C2)接地；第六NMOS管(N6)的栅极连接第一控制信号输入端(CLK1)。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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