【摘要】 本发明公开了一种单片电平生成集成电路。该电路包括差动放大电路和输出级；所述差动放大电路包括P型第一MOS管、第二MOS管，N型第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管；所述输出级包括P型第三MOS管，N型第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管。该专用的单片电平生成集成电路能够生成精度较高也较稳定的电平。。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210340972.6 【申请日】2012-09-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103677036A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】G05F1/56 【发明人】桑园; 王晓娟; 王纪云 【主权项内容】1.一种单片电平生成集成电路，包括差动放大电路和输出级，其特征在于：所述差动放大电路包括P型第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)，N型第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)；所述输出级包括P型第三MOS管(M3)，N型第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)；差动放大器的第一MOS管(M1)的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管(M4)的漏极、递升电压(VPP)以及第二MOS管(M2)的栅极和第一MOS管(M1)的漏极；第二MOS管(M2)的漏极、源极和栅极分别连接到第五MOS管(M5)的漏极、递升电压(VPP)和第一MOS管(M1)的栅极；第四MOS管(M4)的漏极、源极和栅极分别连接到第一MOS管(M1)的漏极、第六MOS管(M6)的漏极以及第八MOS管(M8)的源极和第九MOS管(M9)的漏极；第五MOS管(M5)的漏极、源极和栅极分别连接到第二MOS管(M2)的漏极、第六MOS管(M6)的漏极和偏移电压(Voffset)；第六MOS管(M6)的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管(M4)和第五MOS管(M5)的源极、内电源电压(VBB)以及偏压(Bias)；所述输出级的第三MOS管(M3)的漏极、源极和栅极分别连接到第七MOS管(M7)的漏极、外电源电压(VDD)和第二MOS管(M2)的漏极；第七MOS管(M7)的漏极、源极和栅极分别连接到第三MOS管(M3)的漏极、第八MOS管(M8)的漏极和第七MOS管(M7)的漏极；第八MOS管(M8)的漏极、源极和栅极分别连接到第七MOS管(M7)的源极、第九MOS管(M9)的漏极和第八MOS管(M8)的漏极；第九MOS管(M9)的漏极、源极和栅极分别连接到第八MOS管(M8)的源极、内电源电压(VBB)和偏压(Bias)；电平输出(VHL)连接第三MOS管(M3)的漏极、第七MOS管(M7)的漏极和栅极。。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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