【摘要】 本发明公开了一种差分电流采样电路。该电路的采样电流输入端接第二NMOS晶体管的漏极；电压输出端接第一NMOS晶体管的源极；控制脉冲输入端接第一NMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管的源极接电压源，漏极接第三NMOS晶体管的漏极，栅极接第四NMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和漏极；第二PMOS晶体管的源极接电压源；第二NMOS晶体管的栅极接第三NMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极；第二NMOS晶体管的源极、第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极均接地。采用MOS管电路，在集成电路中占用面积小，工艺兼容，速度也较快。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210400008.8 【申请日】2012-10-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103777052A 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】G01R19/00 【发明人】万建章; 王纪云; 王晓娟 【主权项内容】一种差分电流采样电路，包括采样电流输入端(Io)、电压输出端(Vo)和控制脉冲输入端(MPG)，其特征在于，还包括两只PMOS晶体管(P1～P2)和四只NMOS晶体管(N1～N4)；采样电流输入端(Io)连接至第二NMOS晶体管(N2)的漏极；电压输出端(Vo)连接至第一NMOS晶体管(N1)的源极；控制脉冲输入端(MPG)连接至第一NMOS晶体管(N1)的栅极；所述第一PMOS晶体管(P1)的源极连接至电压源(VCC)，漏极连接至第三NMOS晶体管(N3)的漏极，栅极连接至第四NMOS晶体管(N4)的漏极、第一NMOS晶体管(N1)的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和漏极；所述第二PMOS晶体管(P2)的源极连接至电压源(VCC)；所述第二NMOS晶体管(N2)的栅极连接至第三NMOS晶体管(N3)的栅极和第四NMOS晶体管(N4)的栅极；所述第二NMOS晶体管(N2)的源极、第三NMOS晶体管(N3)的源极和第四NMOS晶体管(N4)的源极均接地(GND)。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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