【摘要】 本发明公开了一种集成倍压生成电路。所述电路包括差动放大器和输出级，所述差动放大器包括P型第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)，N型第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)；所述输出级包括P型第三MOS管(M3)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)。采用MOS管和在集成电路中可实现的电阻组成倍压电路，可将该倍压电路集成在集成电路中，从而减小电路体积，减小开发成本和生产成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210338029.1 【申请日】2012-09-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103683913A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H02M3/10 【发明人】余力; 吴勇; 王纪云 【主权项内容】一种集成倍压生成电路，包括差动放大器和输出级，其特征在于：所述差动放大器包括P型第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)，N型第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)；所述输出级包括P型第三MOS管(M3)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)；差动放大器的第一MOS管(M1)的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管(M4)的漏极、递升电压(VPP)以及第二MOS管(M2)的栅极和第一MOS管(M1)的漏极；第二MOS管(M2)的漏极、源极和栅极分别连接到第五MOS管(M5)的漏极、递升电压(VPP)和第一MOS管(M1)的栅极；第四MOS管(M4)的漏极、源极和栅极分别连接到第一MOS管(M1)的漏极、第六MOS管(M6)的漏极以及第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的公共连接端；第五MOS管(M5)的漏极、源极和栅极分别连接到第二MOS管(M2)的漏极、第六MOS管(M6)的漏极和电压输入端(Vin)；第六MOS管(M6)的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管(M4)和第五MOS管(M5)的源极、地(GND)以及偏压(Bias)；所述输出级的第一电阻(R1)和第二电阻(R2)串接于第三MOS管(M3)漏极和地(GND)之间；第三MOS管(M3)的漏极、源极和栅极分别连接到倍压输出端(Vout)、外电源电压(VDD)和第二MOS管(M2)的漏极。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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