【摘要】 本发明公开了一种全MOS型比较器电路。该全MOS型比较器电路包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)、第一NMOS管(N1)和第二NMOS管(N2); 所述第三PMOS管(P3)和第四PMOS管(P4)为参数相同的PMOS管，所述第五PMOS管(P5)和第六PMOS管(P6)为参数相同的PMOS管。本发明的有益效果是：全MOS结构，MOS管的控制特性好，相应速度快，在集成电路中所占面积小，适合用于集成电路中设计该全MOS型比较器电路。。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210340973.0 【申请日】2012-09-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103684366A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H03K5/22 【发明人】王纪云; 桑园; 吴勇 【主权项内容】一种全MOS型比较器电路，其特征在于，该全MOS型比较器电路包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)、第一NMOS管(N1)和第二NMOS管(N2)；所述第三PMOS管(P3)和第四PMOS管(P4)为参数相同的PMOS管，所述第五PMOS管(P5)和第六PMOS管(P6)为参数相同的PMOS管；所述第一PMOS管(P1)的源极连接电压源(VDD)，漏极连接第二PMOS管(P2)的源极和第三PMOS管(P3)的源极，栅极连接第二PMOS管(P2)的漏极、第一NMOS管(N1)的漏极和第二NMOS管(N2)的栅极；第二PMOS管(P2)的栅极与第一NMOS管(N1)的栅极和第一输入端(IN1)连接；第三PMOS管(P3)的栅极与第四PMOS管(P4)的栅极和第二输入端连接，漏极与第四PMOS管(P4)的源极、第五PMOS管(P5)的栅极和第六PMOS管(P6)的栅极连接；第四PMOS管(P4)的漏极与第一NMOS管(N1)的源极和第二NMOS管(N2)的漏极连接；第五PMOS管(P5)的漏极与第六PMOS管(P6)的源极和输出端(OUT)连接；第六PMOS管(P6)的漏极接地；第二NMOS管(N2)的源极接地。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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