【摘要】 一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法。本发明的技术方案要点是，先按比例称量选取磨料；分散剂；助研剂；润滑剂；增稠剂；辅助剂；先用助研剂，充分混合，如需加热，则加热至溶化，搅拌均匀，待用；加入增稠剂，加热至90～100℃，待完全溶化后，加入润滑剂、调和剂及分散剂，搅拌均匀；加入所需的磨料微粉，根据磨料微粉粒度用相应的筛网进行筛过，使其疏松与均匀，待用；将先前配制的助研剂与配制好的混合物进行混合；加热并搅拌，待加热温度在60～80℃时，加入中备好的磨料微粉，充分搅拌，并加入辅助剂，搅拌均匀后，让其自然冷却成膏。本发明所制得的研磨膏具备良好的稳定性。 【专利类型】发明授权 【申请人】河南科技学院 【申请人类型】学校 【申请人地址】453003 河南省新乡市华兰大道东段河南科技学院机电学院 【申请人地区】中国 【申请人城市】新乡市 【申请号】CN201210559514.1 【申请日】2012-12-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102977851B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102977851B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C09K3/14 【发明人】苏建修; 洪源; 宁欣; 马利杰; 丛晓霞; 胡志刚; 姚建国; 刘幸龙 【主权项内容】1.一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏，其特征在于：当制作 100g研磨膏时各组份所占的重量份如下：磨料 5g～30g；分散剂 5g～30g；助研剂 5g～25g；润滑剂 5g～25g；增稠剂 5g～25g；辅助剂 1g～5g；调和剂 1g～15g；所述的磨料为碳化硼微粉、立方氮化硼微粉或金刚石微粉，这些微粉的粒径是3.5～50μm；所述分散剂为丙三醇、三乙醇胺、聚乙烯醇、聚丙二醇、壬基酚聚氧乙烯醚中的一种或两种或三种的混合物；所述的助研剂为氢氧化钠、氢氧化钾、氧化铬、硬脂酸、蜂蜡、桕子油、乙醇胺、异丙醇胺、二羟乙基乙二胺中的一种或两种以上的混合物；所述的增稠剂为石蜡、棕榈蜡、太空蜡中的一种或两种或三种的混合物；所述的润滑剂为凡士林、球形纳米粉末，其粒径为1~5nm；所述的调和剂为水、甘油、油酸、煤油的一种或两种以上的混合物；所述的辅助剂为防腐剂、着色剂和芳香剂的混合物。 【当前权利人】河南科技学院 【当前专利权人地址】河南省新乡市华兰大道东段河南科技学院机电学院 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12410000417219294H 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】29

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