【摘要】本发明提供了一种新的达沙替尼多晶型药物以及制备方法。本发明的达沙替尼多晶型物Ⅲ的粉末衍射图谱中2θ在6.2±0.2、12.0±0.2、15.3±0.2和18.4±0.2处有衍射峰。本发明制备得到的晶型化学稳定性好，纯度高。制备方法工
【摘要】 一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘，它包括金属氧化物半导体芯片，金属氧化物半导体芯片的两侧为电极焊盘材料共晶体层，电极焊盘材料共晶体层的外侧为电极焊盘；其中，电极焊盘材料共晶体层由金属氧化物半导体芯片材料与电极焊盘材料共同构成。本发明金属氧化物半导体芯片与电极焊盘之间的共晶体层中减少了杂质，使金属氧化物半导体芯片的性能更稳定；去除了金属氧化物半导体芯片电极焊盘中的杂质、空洞和间隙，使金属氧化物半导体芯片在脉冲电流冲击下不会发生爆炸损坏，提高了金属氧化物半导体芯片的通流能力；减少了电极焊盘的加速氧化，提高了金属氧化物半导体芯片电极焊盘的可焊性。 【专利类型】发明申请 【申请人】安阳朗都电气有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】455000 河南省安阳市龙安区太行路南段路西 【申请人地区】中国 【申请人城市】安阳市 【申请人区县】龙安区 【申请号】CN201210197011.4 【申请日】2012-06-15 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103489843A 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103489843B 【授权公告日】2016-03-23 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L23/488; H01L21/48 【发明人】梁怀均; 袁英 【主权项内容】一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘，其特征在于：它包括金属氧化物半导体芯片(1)，金属氧化物半导体芯片(1)的两侧为电极焊盘材料共晶体层(2)，电极焊盘材料共晶体层(2)的外侧为电极焊盘(3)；其中，电极焊盘材料共晶体层(2)由金属氧化物半导体芯片材料与电极焊盘材料共同构成。 【当前权利人】安阳朗都电气有限公司 【当前专利权人地址】河南省安阳市龙安区太行路南段路西 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91410506667216379B 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0
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