【摘要】 本发明公开了一种全透明阻变存储器及锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用，属于半导体非挥发性存储器技术领域。本发明的阻变材料为宽禁带半导体透明氧化物锡酸钡(BaSnO3)薄膜, 所述阻变存储器由下电极、设于所述下电极上的阻变存储层和沉积于所述阻变存储层上的上电极组成；所述上电极和下电极为氧化铟锡透明导电薄膜、氟掺杂氧化铟透明导电薄膜；所述阻变存储层为锡酸钡(BaSnO3)薄膜。本发明提供的透明有机阻变存储器具有透光性好、存储密度高和稳定性好等优点，具有广阔的应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】河南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】475004 河南省开封市明伦街85号 【申请人地区】中国 【申请人城市】开封市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201210155959.3 【申请日】2012-05-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102709472B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102709472B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L45/00 【发明人】张婷; 马文海; 张伟风; 魏凌; 孙健 【主权项内容】一种全透明阻变存储器，其特征在于：包括下电极及下电极表面的阻变存储层，以及沉积于所述阻变存储层上的上电极；所述的上电极和下电极为氧化铟锡(ITO)导电薄膜或氟掺杂氧化锡(FTO)透明导电薄膜；所述的阻变存储层为锡酸钡(BaSnO3)薄膜。。 【当前权利人】河南大学 【当前专利权人地址】河南省开封市明伦街85号 【统一社会信用代码】12410000416306716T 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4

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