【摘要】本发明涉及一种光反应设备及其在制备羟钴胺或羟胺盐中的应用。本发明的光反应设备包括光照反应装置、循环泵、混合搅拌装置和空气过滤器,所述光照反应装置由外壳箱、强光灯、反应槽和曝气管组成,所述外壳箱箱体侧壁为孔状结构壁板,在其侧壁内侧安装
【摘要】 本发明公开了一种在水库消落地提高香根草耐水性的方法,具体步骤如下:1、育苗;2、移栽;3、维护。在育苗期加大浇水次数,加大浇水量,即从早期来提高香根草对水的适应性,适应的过程会提高香根草适应水的能力,为后期库区消落地的耐水生活环境打下基础。移栽时茎部分留15~25cm,根部分留5~10cm,减小蒸腾作用,利于香根草成活;刚种时不要施肥,因为香根草栽种时根部受伤,施肥的话提高根部周围渗透压,容易产生反渗透,不利于发新根,降低成活率,生新根后施农家肥,确保前期养分充足,供香根草快速生长,为后期涨水提高耐水性打下基础,期间要注意给香根草大量浇水,为后期消落地涨水之后做准备,提前练习对水的适应性。 【专利类型】发明授权 【申请人】南阳师范学院 【申请人类型】学校 【申请人地址】473061 河南省南阳市卧龙路1638号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南阳市 【申请人区县】卧龙区 【申请号】CN201210298146.X 【申请日】2012-08-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102783339B 【公开公告日】2014-02-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102783339B 【授权公告日】2014-02-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】A01G1/00 【发明人】李玉英; 朱延峰; 江淑洁; 董冰雪; 管珍珍; 杨建伟; 陈吉宝; 聂天南; 聂雨舟; 于潘 【主权项内容】1.一种在水库消落地提高香根草耐水性的方法,其特征在于,具体步骤如下: a.育苗:第一年在苗圃育苗,育苗前半年的浇水次数为普通育苗期浇水次数的1.5倍,后半年的浇水次数为普通情况下的2~3倍; b.移栽:第二年或第三年的3~5月份,将香根草分成小撮,每撮3~8个分蘖,茎部分留15~25cm,根部分留5~10cm,其余剪去,移栽时注意根上涂沾浓度为500~1000ppm ABP4号生根粉和消毒剂,然后根上沾泥浆,移栽入库区消落地区,种植行株距为40×(50~70)cm; c.维护:刚种时不施肥,生新根后施农家肥,种植后干旱需要穴施保水肥,冬季刈割或火烧。 【当前权利人】南阳师范学院; 国家电网公司国网河南省电力公司平顶山供电公司 【当前专利权人地址】河南省南阳市卧龙区卧龙路1638号; 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12410000415803104J 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1
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