【摘要】 本发明公开了一种MOM电容及其制作方法，属于电容的结构及其制作方法技术领域。主要包括以下几个步骤：一、氧化硅片；二、形成正面金属电极；三、在正面金属电极上粘贴蓝宝石基片；四、对硅片的背面进行光刻处理；五、腐蚀光刻掩膜以外的硅，然后去除掩膜；六、在硅片内形成MOM电容的背面金属电极；七、去除蓝宝石基片。通过使用上述方法，镀金层面积大幅度减少，整个MOM电容的用金量大为降低，大大减少了电容的制造成本，对金的使用量大大减少的同时造成对电镀液的维护频繁程度也相应降低，电镀工艺的耗时也大幅度缩短。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国电子科技集团公司第十三研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】050051 河北省石家庄市合作路113号179信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】石家庄市 【申请人区县】桥西区 【申请号】CN201210059683.9 【申请日】2012-03-08 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593107B 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593107B 【授权公告日】2014-03-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/64; H01L21/02 【发明人】商庆杰; 潘宏菽; 张力江; 付兴昌 【主权项内容】一种MOM电容的制作方法，其特征在于步骤如下：步骤一：将硅片(4)高温氧化，氧化温度950°C-1250°C，硅片(4)的上表面形成二氧化硅介质层(2)；步骤二：在二氧化硅介质层(2)的上表面形成MOM电容的正面金属电极(1)；步骤三：在形成的正面金属电极(1)的上表面粘贴透明的蓝宝石基片(5)；步骤四：将硅片(4)减薄；步骤五：对硅片(4)的背面进行光刻处理；步骤六：腐蚀光刻掩膜(6)以外的硅，然后去除掩膜(6)；步骤七：采用金属溅射和带胶选择电镀的方法，在硅片(4)内形成MOM电容的背面金属电极(3)；步骤八：去除蓝宝石基片(5)，将形成的整片MOM电容片粘在蓝膜上，进行划片，来分隔MOM电容。。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第十三研究所 【当前专利权人地址】河北省石家庄市合作路113号179信箱 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3

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