【摘要】 本发明公开了一种集成二极管的太阳电池的生产工艺及光伏组件的制造方法，利用集成电路的设计理念及光刻技术、刻蚀工艺，在电池背面局部生成完全隔离的二极管；再利用印刷丝网在电池片背面印刷相同浆料，使二极管的负极与电池正极相连(或者使二极管的正极与电池负极相连)；形成正面为电池、背面局部为二极管的集成太阳电池。该电池和二极管一端相连、另一端独立。在使用电池制作组件过程中，利用焊带焊接工艺使电池和二极管电极相连，形成无需外接旁路二极管的光伏组件。 -官网 【专利类型】发明授权 【申请人】英利能源(中国)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】竞秀区 【申请号】CN201210311334.1 【申请日】2012-08-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102800759B 【公开公告日】2014-11-19 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102800759B 【授权公告日】2014-11-19 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】高艳杰; 董建华; 任云龙; 王亮 【主权项内容】一种集成二极管的太阳电池的生产工艺，其特征在于，包括步骤：1)清洗硅片，并在清洗过的所述硅片表面制绒；2)对经过制绒的所述硅片表面进行一次扩散，选取P型硅片时工艺具体为扩磷，选取N型硅片时工艺具体为扩硼；3)对经过一次扩散的所述硅片表面进行二次扩散，选取P型硅片时工艺具体为扩硼，选取N型硅片时工艺具体为扩磷；4)对经过二次扩散的所述硅片进行一次涂胶，工艺具体为在所述硅片的背面需要设置二极管的位置涂敷防腐胶；5)对经过一次涂胶的所述硅片进行一次刻蚀，工艺具体为浸入式，在所述硅片的背面需要设置二极管的位置形成第一岛屿；6)对经过一次刻蚀的所述硅片进行二次涂胶，工艺具体为在所述第一岛屿及其周边涂敷防腐胶；7)对经过二次涂胶的所述硅片进行二次刻蚀，二次刻蚀工艺具体为印刷漂浮式，在所述第一岛屿底部形成第二岛屿；8)对经过二次涂胶的所述硅片进行再清洗；9)对经过再清洗的所述硅片进行PECVD、印刷和烧结，在所述第一岛屿的周围和所述第二岛屿的顶部分别形成背面电场电池部分和背面电场二极管部分，且所述背面电场电池部分和所述背面电场二极管部分之间具有空白；10)对经过PECVD、印刷和烧结的所述硅片进行测试和分选。 【当前权利人】衡水英利新能源有限公司 【当前专利权人地址】河北省衡水市经济开发区纬十七路969号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91130600667708103C 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4

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