【摘要】 一种突变结晶硅太阳电池的制备方法，采用CVD的方法在晶体硅片上低温外延制备晶硅薄膜，并采用快速热退火的工艺激活掺杂元素；采用热丝CVD或等离子辅助CVD可实现大面积均匀沉积薄膜，保证体硅太阳电池的均匀性；采用快速热退火处理，可在保证突变结结构不发生明显扩散的前提下，消除低温外延过程中薄膜中的缺陷，激活掺杂元素，得到性能优良突变结结构的晶硅太阳电池。本发明具有优化了制备器件的性能，提高了太阳电池的转换效率，工艺简单，有利于实现大规模生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】南昌大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南昌市 【申请人区县】新建区 【申请号】CN201210183417.7 【申请日】2012-06-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102694072B 【公开公告日】2014-10-29 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102694072B 【授权公告日】2014-10-29 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】黄海宾; 周浪; 龚洪勇; 张东华; 汪已琳; 高江 【主权项内容】1.一种突变结晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)突变结外延层的制备：晶硅电池有P-型片和N-型片两种，对于P-型硅片，需外延沉积N-型晶硅薄膜；对N-型片，需外延沉积P-型晶硅薄膜，以形成合适的PN结结构；其中，在P-型硅衬底上低温外延N-型晶硅薄膜，采用如下工艺实现：采用热丝CVD的方法，源气体流量比：SiH4 : PH3＝1 : 0.001～1 : 0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～5Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度控制在1600℃～2000℃，衬底与热丝的距离控制为3～8cm，膜厚控制在10～300nm；或者采用等离子辅助CVD的方法，源气体流量比：SiH4 : PH3＝1 : 0.001～1 : 0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～20Pa，衬底温度为150℃～300℃，射频源功率密度控制在0.1～2.0W/cm2，基板间距离控制在2～4cm，膜厚控制在10～300nm；其中，在N-型硅衬底上低温外延P-型晶硅薄膜，采用如下工艺实现：采用热丝CVD的方法，源气体流量比：SiH4 : B2H6＝1 : 0.001～1 : 0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～5Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度控制在1600℃～2000℃，衬底与热丝的距离控制在3～8cm，膜厚控制在10～300nm；或者采用等离子辅助CVD的方法，源气体流量比：SiH4 : B2H6＝1 : 0.001～1 : 0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～20Pa，衬底温度为150℃～300℃，射频源功率密度控制在0.1～2.0W/cm2，基板间距离控制在2～4cm，膜厚控制在10～300nm；2) 对低温外延制备的突变结结构快速热退火改性的工艺如下：采用N2或者Ar气进行保护进行退火，或者采用真空退火的方式，升温速率大于20℃/分钟，在800℃～1200℃保温10秒～200秒，随后快速降温，从而制得性能优良的突变结结构晶硅太阳电池。 【当前权利人】南昌大学 【当前专利权人地址】江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12360000491015556U 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2

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